[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件的制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110751038.2
• 申請(qǐng)日: 2021-07-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113488377A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡錦波;孫江濤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 馬鞍山市檳城電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/027
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/027;G03F7/20
• 代理公司: 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該半導(dǎo)體器件的制作方法包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一個(gè)或多個(gè)：其中，第一制程包括：在半導(dǎo)體襯底的至少一側(cè)形成第一保護(hù)層；通過(guò)激光工藝去除部分第一保護(hù)層，以形成暴露半導(dǎo)體襯底的待摻雜區(qū)域的摻雜窗口；第二制程包括：在半導(dǎo)體襯底的至少一側(cè)形成第二保護(hù)層；通過(guò)激光工藝去除部分第二保護(hù)層，以形成暴露半導(dǎo)體襯底的待挖槽區(qū)域的溝槽窗口；對(duì)待挖槽區(qū)域進(jìn)行腐蝕處理，以形成溝槽；第三制程包括：在半導(dǎo)體襯底的至少一側(cè)形成第三保護(hù)層；通過(guò)激光工藝去除部分第三保護(hù)層，以形成電極窗口。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案通過(guò)激光去除掩膜，替代光刻實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件制作過(guò)程中通過(guò)光刻工藝實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移。光刻工藝的流程可包括來(lái)片表面預(yù)處理、涂光刻膠、軟烤、對(duì)位曝光、顯影、堅(jiān)膜、臺(tái)面腐蝕、去膠等。由于光刻工藝流程多，操作流程繁瑣，對(duì)環(huán)境溫濕度及潔凈度要求高，生產(chǎn)周期長(zhǎng)，中間過(guò)程易產(chǎn)生異常返工，設(shè)備投入大，生產(chǎn)成本高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，用激光去除掩膜，替代光刻實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移，減少或取消光刻工藝的使用，減少光刻工藝產(chǎn)生的廢液廢膠，更環(huán)保，且激光刻蝕操作便捷，降低流片時(shí)間和成本。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一個(gè)或多個(gè)：

其中，第一制程包括：

在半導(dǎo)體襯底的至少一側(cè)形成第一保護(hù)層；

通過(guò)激光工藝去除部分第一保護(hù)層，以形成暴露半導(dǎo)體襯底的待摻雜區(qū)域的摻雜窗口；

對(duì)待摻雜區(qū)域進(jìn)行摻雜處理，以形成摻雜區(qū)域；

第二制程包括：

在半導(dǎo)體襯底的至少一側(cè)形成第二保護(hù)層；

通過(guò)激光工藝去除部分第二保護(hù)層，以形成暴露半導(dǎo)體襯底的待挖槽區(qū)域的溝槽窗口；

對(duì)待挖槽區(qū)域進(jìn)行腐蝕處理，以形成溝槽；

第三制程包括：

在半導(dǎo)體襯底的至少一側(cè)形成第三保護(hù)層；

通過(guò)激光工藝去除部分第三保護(hù)層，以形成電極窗口；

在電極窗口內(nèi)形成導(dǎo)電材料層，以形成電極。

進(jìn)一步地，在半導(dǎo)體襯底的至少一側(cè)形成第一保護(hù)層包括：在半導(dǎo)體襯底的相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)形成第一保護(hù)層；

通過(guò)激光工藝去除部分第一保護(hù)層，以形成暴露半導(dǎo)體襯底的待摻雜區(qū)域的摻雜窗口包括：

通過(guò)激光工藝去除半導(dǎo)體襯底的第一側(cè)的部分第一保護(hù)層，以形成暴露半導(dǎo)體襯底的第一側(cè)的待摻雜區(qū)域的摻雜窗口；

通過(guò)圖像采集模塊，獲取半導(dǎo)體襯底的第一側(cè)的待摻雜區(qū)域的摻雜窗口的位置；

根據(jù)半導(dǎo)體襯底的第一側(cè)的待摻雜區(qū)域的摻雜窗口的位置，調(diào)整激光光斑在半導(dǎo)體襯底的第二側(cè)的位置；

通過(guò)激光工藝去除半導(dǎo)體襯底的第二側(cè)的部分第一保護(hù)層，以形成暴露半導(dǎo)體襯底的第二側(cè)的待摻雜區(qū)域的摻雜窗口。

進(jìn)一步地；在半導(dǎo)體襯底的至少一側(cè)形成第二保護(hù)層包括：在半導(dǎo)體襯底的相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)形成第二保護(hù)層；

通過(guò)激光工藝去除部分第二保護(hù)層，以形成暴露半導(dǎo)體襯底的待挖槽區(qū)域的溝槽窗口包括：

通過(guò)激光工藝去除半導(dǎo)體襯底的第一側(cè)的部分第二保護(hù)層，以形成暴露半導(dǎo)體襯底的第一側(cè)的待挖槽區(qū)域的溝槽窗口；