[發明專利]一種半導體器件的制作方法

在審

• 申請號: 202110751038.2
• 申請日: 2021-07-02
• 公開（公告）號: CN113488377A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 蔡錦波;孫江濤
• 申請（專利權）人: 馬鞍山市檳城電子有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/20
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一個或多個：

其中，所述第一制程包括：

在所述半導體襯底的至少一側形成第一保護層；

通過激光工藝去除部分第一保護層，以形成暴露所述半導體襯底的待摻雜區域的摻雜窗口；

對所述待摻雜區域進行摻雜處理，以形成摻雜區域；

所述第二制程包括：

在所述半導體襯底的至少一側形成第二保護層；

通過激光工藝去除部分第二保護層，以形成暴露所述半導體襯底的待挖槽區域的溝槽窗口；

對所述待挖槽區域進行腐蝕處理，以形成溝槽；

所述第三制程包括：

在所述半導體襯底的至少一側形成第三保護層；

通過激光工藝去除部分第三保護層，以形成電極窗口；

在所述電極窗口內形成導電材料層，以形成電極。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底的至少一側形成第一保護層包括：在所述半導體襯底的相對的第一側和第二側形成第一保護層；

通過激光工藝去除部分第一保護層，以形成暴露所述半導體襯底的待摻雜區域的摻雜窗口包括：

通過激光工藝去除所述半導體襯底的第一側的部分第一保護層，以形成暴露所述半導體襯底的第一側的待摻雜區域的摻雜窗口；

通過圖像采集模塊，獲取所述半導體襯底的第一側的待摻雜區域的摻雜窗口的位置；

根據所述半導體襯底的第一側的待摻雜區域的摻雜窗口的位置，調整激光光斑在所述半導體襯底的第二側的位置；

通過激光工藝去除所述半導體襯底的第二側的部分第一保護層，以形成暴露所述半導體襯底的第二側的待摻雜區域的摻雜窗口。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底的至少一側形成第二保護層包括：在所述半導體襯底的相對的第一側和第二側形成第二保護層；

通過激光工藝去除部分第二保護層，以形成暴露所述半導體襯底的待挖槽區域的溝槽窗口包括：

通過激光工藝去除所述半導體襯底的第一側的部分第二保護層，以形成暴露所述半導體襯底的第一側的待挖槽區域的溝槽窗口；

通過圖像采集模塊，獲取所述半導體襯底的第一側的待挖槽區域的溝槽窗口的位置；

根據所述半導體襯底的第一側的待挖槽區域的溝槽窗口的位置，調整激光光斑在所述半導體襯底的第二側的位置；

通過激光工藝去除所述半導體襯底的第二側的部分第二保護層，以形成暴露所述半導體襯底的第二側的待挖槽區域的溝槽窗口。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底的至少一側形成第三保護層包括：在所述半導體襯底的相對的第一側和第二側形成第三保護層；

通過激光工藝去除部分第三保護層，以形成電極窗口包括：

通過激光工藝去除所述半導體襯底的第一側的部分第三保護層，以形成所述半導體襯底的第一側的電極窗口；

通過圖像采集模塊，獲取所述半導體襯底的第一側的電極窗口的位置；

根據所述半導體襯底的第一側的電極窗口的位置，調整激光光斑在所述半導體襯底的第二側的位置；

通過激光工藝去除所述半導體襯底的第二側的部分第三保護層，以形成所述半導體襯底的第二側的電極窗口。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述激光工藝中采用設置有振鏡的激光器。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在對所述待摻雜區域進行摻雜處理之前，還包括：

對所述摻雜窗口的底部和側壁進行損傷修復處理。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，通過化學和/或物理方法，對所述摻雜窗口的底部和側壁進行損傷修復處理。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述化學和/或物理方法包括下述一種或多種：酸性溶液和/或堿性溶液清洗，以及干法刻蝕。