[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110750624.5
• 申請(qǐng)日: 2021-07-01
• 公開（公告）號(hào): CN113471149B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孔忠;洪海涵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H10B12/00
• 分類號(hào): H10B12/00;H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 郭鳳杰

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：提供基底；在基底內(nèi)形成多個(gè)間隔排布的接觸孔；在接觸孔內(nèi)形成接觸材料層；在接觸材料層和基底上形成位線材料層；去除部分位線材料層和部分接觸材料層，以形成位線結(jié)構(gòu),位線結(jié)構(gòu)包括剩余的位線材料層構(gòu)成的位線層以及剩余的接觸材料層構(gòu)成的接觸層，接觸層位于接觸孔內(nèi)，位線層跨越接觸孔以及接觸孔外的基底。本發(fā)明可以有效降低位線結(jié)構(gòu)的高度，從而有效防止位線結(jié)構(gòu)在之后的制成過程中傾斜或倒塌。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件制程中，位線通常通過干法刻蝕形成。在干法刻蝕形成形成位線后，可以通過濕法清洗來去除干法刻蝕造成的一系列有機(jī)物。

然而，在濕法清洗過程中，由于溶液的流動(dòng)，位線之間會(huì)有張力存在。張力很容易造成位線傾斜、倒塌現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)在濕法清洗中張力很容易造成位線傾斜、倒塌的問題，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

提供基底；

在所述基底內(nèi)形成多個(gè)間隔排布的接觸孔；

在所述接觸孔內(nèi)形成接觸材料層；

在所述接觸材料層和所述基底上形成位線材料層；

去除部分所述位線材料層和部分所述接觸材料層，以形成位線結(jié)構(gòu),所述位線結(jié)構(gòu)包括剩余的所述位線材料層構(gòu)成的位線層以及剩余的所述接觸材料層構(gòu)成的接觸層，所述接觸層位于所述接觸孔內(nèi)，所述位線層跨越所述接觸孔以及所述接觸孔外的所述基底。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述基底上形成多個(gè)間隔排布的接觸孔，包括：

在所述基底上形成介質(zhì)材料層；

在所述介質(zhì)材料層上形成第一圖形化掩膜層；

基于第一圖形化掩膜層，對(duì)所述介質(zhì)材料層和所述基底進(jìn)行刻蝕，去除部分所述介質(zhì)材料層和部分所述基底，形成所述接觸孔。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述接觸孔內(nèi)形成接觸材料層之前，包括：

去除保留的所述介質(zhì)材料層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述去除部分所述位線材料層和部分所述接觸材料層，以形成位線結(jié)構(gòu)包括：

在所述位線材料層上形成第二圖形化掩膜層；

基于第二圖形化掩膜層，對(duì)所述位線材料層和所述接觸材料層進(jìn)行刻蝕，去除部分所述位線材料層和部分所述接觸材料層，以形成所述位線結(jié)構(gòu)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，

所述基底具有相鄰的陣列區(qū)域和外圍區(qū)域，所述在所述基底上形成多個(gè)間隔排布的接觸孔，包括：

在所述基底上形成外圍功能材料層；

去除所述陣列區(qū)域的所述外圍功能材料層；

在所述陣列區(qū)域的基底上形成所述接觸孔。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述外圍功能材料層包括多晶硅層，所述去除所述陣列區(qū)域的所述外圍功能材料層，包括：

在所述陣列區(qū)域的多晶硅層上形成注入阻擋層；

基于所述注入阻擋層，對(duì)所述外圍區(qū)域的所述多晶硅層進(jìn)行離子注入，形成摻雜多晶硅；

去除所述注入阻擋層；

去除所述陣列區(qū)域的未摻雜的所述多晶硅層，且保留所述外圍區(qū)域的所述摻雜多晶硅。