[發(fā)明專利]光譜濾波器以及包括光譜濾波器的圖像傳感器和電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110746843.6 | 申請日: | 2021-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN113889494A | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金孝哲;盧永瑾;樸研相;李在崇 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G02B5/28 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 吳曉兵 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光譜 濾波器 以及 包括 圖像傳感器 電子設(shè)備 | ||
提供了一種光譜濾波器,包括:第一單元濾波器,具有第一波長范圍中的第一中心波長;以及第二單元濾波器,具有第二波長范圍中的第二中心波長,其中,所述第一單元濾波器包括彼此間隔開設(shè)置并包括第一金屬的兩個第一金屬反射層、以及設(shè)置在所述兩個第一金屬反射層之間的第一腔,并且其中,所述第二單元濾波器包括彼此間隔開設(shè)置并包括與所述第一金屬不同的第二金屬的兩個第二金屬反射層、以及設(shè)置在所述兩個第二金屬反射層之間的第二腔。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請基于并要求2020年7月2日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2020-0081674和2021年5月11日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2021-0060947的優(yōu)先權(quán),其全部公開內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的示例實施例涉及光譜濾波器以及均包括所述光譜濾波器的圖像傳感器和電子設(shè)備。
背景技術(shù)
使用光譜濾波器的圖像傳感器是光學領(lǐng)域中重要的光學儀器之。根據(jù)有關(guān)技術(shù)的包括各種光學器件的圖像傳感器體積大且笨重。最近,根據(jù)對圖像傳感器的小型化的要求,已經(jīng)對同時將集成電路和光學元件實現(xiàn)在單個半導體芯片上進行了研究。
發(fā)明內(nèi)容
一個或多個示例實施例提供了光譜濾波器以及均包括所述光譜濾波器的圖像傳感器和電子設(shè)備。
附加方面部分地將在接下來的描述中闡述,且部分地將通過該描述而變得清楚明白,或者可以通過對示例實施例的實踐來獲知。
根據(jù)示例實施例的一個方面,提供了一種光譜濾波器,包括:第一單元濾波器,具有第一波長范圍中的第一中心波長;以及第二單元濾波器,具有第二波長范圍中的第二中心波長,其中,所述第一單元濾波器包括彼此間隔開設(shè)置并包括第一金屬的兩個第一金屬反射層、以及設(shè)置在所述兩個第一金屬反射層之間的第一腔,并且其中,所述第二單元濾波器包括彼此間隔開設(shè)置并包括與所述第一金屬不同的第二金屬的兩個第二金屬反射層、以及設(shè)置在所述兩個第二金屬反射層之間的第二腔。
所述第一單元濾波器和所述第二單元濾波器可以以一維或二維方式設(shè)置在平面上。
所述第一波長范圍中的所述第一中心波長可以短于所述第二波長范圍中的所述第二中心波長。
所述兩個第一金屬反射層可以包括鋁(A1)、銀(Ag)、金(Au)或氮化鈦(TiN)中的一種,并且所述兩個第二金屬反射層可以包括與所述兩個第一金屬反射層不同的銅(Cu)、Ag、Au或TiN中的一種。
所述第一單元濾波器可以被包括在第一濾波器陣列中,所述第一濾波器陣列包括具有不同中心波長的多個第一單元濾波器,并且所述第二單元濾波器可以被包括在第二濾波器陣列中,所述第二濾波器陣列包括具有不同中心波長的多個第二單元濾波器。
所述第一單元濾波器的中心波長可以被配置為基于改變所述第一腔的厚度或有效折射率來調(diào)整,并且所述第二單元濾波器的中心波長可以被配置為基于改變所述第二腔的厚度或有效折射率來調(diào)整。
所述第一單元濾波器還可以包括設(shè)置在所述第一腔上方的第一介電層和設(shè)置在所述第一腔下方的第二介電層,并且所述第二單元濾波器還可以包括設(shè)置在所述第二腔下方的第三介電層和設(shè)置在所述第二腔上方的第四介電層。
所述第一介電層、第二介電層、第三介電層和第四介電層中的每一個可以包括單個層或多個層。
所述第一介電層、所述第二介電層、所述第三介電層和所述第四介電層中的每一個可以具有范圍從10nm到20000nm的厚度。
所述第一介電層和所述第二介電層中的每一個的厚度或有效折射率中的至少一項可以基于所述第一單元濾波器的中心波長來調(diào)整,并且所述第三介電層和所述第四介電層中的每一個的厚度或有效折射率可以基于所述第二單元濾波器的中心波長來調(diào)整。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星電子株式會社,未經(jīng)三星電子株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110746843.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:用于電外科器械的滑環(huán)觸點組件
- 下一篇:電加熱裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





