[發(fā)明專利]致密高純鍶鉭氧氮化物陶瓷及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110745116.8 | 申請日： | 2021-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN113233901B | 公開（公告）日： | 2022-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李端;李俊生;曾良 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國人民解放軍國防科技大學(xué) |
| 主分類號： | C04B35/58 | 分類號： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/645 |
| 代理公司： | 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 黃麗 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 致密 高純 鍶鉭氧 氮化物 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種致密高純鍶鉭氧氮化物陶瓷的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、將鍶鉭氧氮化物陶瓷粉體與乙醇混合均勻，經(jīng)球磨后，干燥、過篩，得到預(yù)燒結(jié)粉體；
S2、將步驟S1所得的預(yù)燒結(jié)粉體，在加壓、保護氣氛條件下或者在加壓、真空條件下進行放電等離子燒結(jié)，所述加壓的壓力為140MPa～150MPa，所述放電等離子燒結(jié)的燒結(jié)溫度為1300℃～1400℃，升溫速率為300℃/min～500℃/min，燒結(jié)保溫0～10min，然后自然冷卻，得到陶瓷初始燒結(jié)體；
S3、將步驟S2所得的陶瓷初始燒結(jié)體在氨氣氣氛、無壓力條件下進行二次燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1310℃～1500℃，該燒結(jié)溫度需大于步驟S2中的燒結(jié)溫度，升溫速率為10℃/min～20℃/min，燒結(jié)保溫1min～80min，然后降溫冷卻，得到致密高純鍶鉭氧氮化物陶瓷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的致密高純鍶鉭氧氮化物陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟S2中，燒結(jié)保溫0～5min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的致密高純鍶鉭氧氮化物陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟S3中，燒結(jié)保溫20min～60min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的致密高純鍶鉭氧氮化物陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述球磨采用的球磨罐材質(zhì)為聚氨酯、氧化鋁或氧化鋯，所述球磨采用的球磨珠材質(zhì)為聚氨酯、氧化鋁或氧化鋯，所述球磨的時間為1h～8h，所述干燥的溫度為50℃～200℃，所述干燥的時間為1h～18h，所述過篩的目數(shù)為3000目～10000目。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的致密高純鍶鉭氧氮化物陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述球磨的時間為2h～4h，所述干燥的溫度為100℃～150℃，所述干燥的時間為6h～12h，所述過篩的目數(shù)為3000目～6000目。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的致密高純鍶鉭氧氮化物陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述保護氣氛為氮氣、氦氣和氬氣中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的致密高純鍶鉭氧氮化物陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述降溫冷卻的冷卻速率為1℃/min～200℃/min。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的致密高純鍶鉭氧氮化物陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述降溫冷卻的冷卻速率為10℃/min～100℃/min。
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