[發明專利]形成半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202110744042.6
• 申請日: 2021-07-01
• 公開（公告）號: CN113629012A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 陳逸群;李汝諒;蔡嘉雄;江振豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種形成半導體器件的方法，包括：在襯底上方形成蝕刻停止層；在蝕刻停止層上方形成第一擴散阻擋層；在第一擴散阻擋層上方形成半導體器件層，半導體器件層包括晶體管；在半導體器件層的前側的半導體器件層上方形成第一互連結構，第一互連結構電耦合至晶體管；將第一互連結構附接到載體；在附接之后去除襯底、蝕刻停止層和第一擴散阻擋層；在去除之后，在半導體器件層的背側處形成第二互連結構。

技術領域

本發明的實施例涉及形成半導體器件的方法。

背景技術

半導體器件用于各種電子應用中，例如個人計算機、手機、數碼相機和其他電子設備。通常通過以下方式制造半導體器件：依次在半導體襯底上沉積絕緣層或電介質層、導電層和材料的半導體層，并使用光刻在各種材料層上圖案化以在其上形成電路組件和元件。

半導體行業通過不斷減小最小部件尺寸來不斷提高各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，從而允許將更多的組件集成到給定區域中。但是，隨著最小部件尺寸的減小，出現了應解決的其他問題。

發明內容

根據本發明實施例的一個方面，提供了一種形成半導體器件的方法，方法包括：在襯底上形成蝕刻停止層；在蝕刻停止層上方形成第一擴散阻擋層；在第一擴散阻擋層上方形成半導體器件層，半導體器件層包括晶體管；在半導體器件層的前側的半導體器件層上方形成第一互連結構，第一互連結構電耦合至晶體管；將第一互連結構附接到載體；在附接之后，去除襯底、蝕刻停止層和第一擴散阻擋層；以及在去除之后，在半導體器件層的背側處形成第二互連結構。

根據本發明實施例的另一個方面，提供了一種形成半導體器件的方法，方法包括：在襯底上方形成蝕刻停止層，蝕刻停止層包括由第一摻雜劑摻雜的第一半導體材料；在蝕刻停止層上方形成第一擴散阻擋層，第一擴散阻擋層包括與不連續的氧層交錯的硅層；在第一擴散阻擋層上方外延形成第二半導體材料；在第二半導體材料中形成晶體管；在第二半導體材料上方形成第一互連結構；將第一互連結構附接到載體；以及在附接之后，去除襯底、蝕刻停止層和第一擴散阻擋層。

根據本發明實施例的又一個方面，提供了一種形成半導體器件的方法，方法包括：在襯底上形成摻雜的半導體層；在摻雜的半導體層上方形成擴散阻擋層，擴散阻擋層包括交替的外延硅層和氧的部分單層；在擴散阻擋層上方形成包括晶體管的器件層；以及將器件層轉移到工件上，其中，轉移包括：將器件層接合到工件；和在接合之后，去除襯底、摻雜的半導體層和擴散阻擋層。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該強調，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制并且僅用于說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1根據一些實施例以三維視圖示出了納米結構場效應晶體管(nano-FET)的示例。

圖2A和圖2B示出了根據實施例的具有蝕刻停止層和擴散阻擋層的襯底的截面圖。

圖3示出了根據另一實施例的具有蝕刻停止層和擴散阻擋層的襯底的截面圖。

圖4示出了根據又一個實施例的具有蝕刻停止層和擴散阻擋層的襯底的截面圖。