[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體器件的方法

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• 申請日: 2021-07-01
• 公開（公告）號: CN113629012A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳逸群;李汝諒;蔡嘉雄;江振豪
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成蝕刻停止層；

在所述蝕刻停止層上方形成第一擴散阻擋層；

在所述第一擴散阻擋層上方形成半導(dǎo)體器件層，所述半導(dǎo)體器件層包括晶體管；

在所述半導(dǎo)體器件層的前側(cè)的所述半導(dǎo)體器件層上方形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述第一互連結(jié)構(gòu)電耦合至所述晶體管；

將所述第一互連結(jié)構(gòu)附接到載體；

在所述附接之后，去除所述襯底、所述蝕刻停止層和所述第一擴散阻擋層；以及

在所述去除之后，在所述半導(dǎo)體器件層的背側(cè)處形成第二互連結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述蝕刻停止層包括形成由第一摻雜劑摻雜的第一半導(dǎo)體材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一半導(dǎo)體材料是硅或硅鍺，并且所述第一摻雜劑是硼、磷、砷、銦或銻。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一半導(dǎo)體材料中的所述第一摻雜劑的濃度在約2E19原子/cm³和約5E21原子/cm³之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成所述第一擴散阻擋層包括：

在所述蝕刻停止層上方形成第一數(shù)量的外延硅層；和

形成第二數(shù)量的氧插入的部分單層，其中，所述第二數(shù)量的氧插入的部分單層與所述第一數(shù)量的外延硅層交錯。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第二數(shù)量比所述第一數(shù)量小一個。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第二數(shù)量的氧插入的部分單層中的每一個是硅層，所述硅層具有合并到所述硅層中的氧。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在所述第二數(shù)量的氧插入的部分單層中的每一個的氧濃度比背景氧濃度水平高數(shù)個數(shù)量級。

9.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上方形成蝕刻停止層，所述蝕刻停止層包括由第一摻雜劑摻雜的第一半導(dǎo)體材料；

在所述蝕刻停止層上方形成第一擴散阻擋層，所述第一擴散阻擋層包括與不連續(xù)的氧層交錯的硅層；

在所述第一擴散阻擋層上方外延形成第二半導(dǎo)體材料；

在所述第二半導(dǎo)體材料中形成晶體管；

在所述第二半導(dǎo)體材料上方形成第一互連結(jié)構(gòu)；

將所述第一互連結(jié)構(gòu)附接到載體；以及

在所述附接之后，去除所述襯底、所述蝕刻停止層和所述第一擴散阻擋層。

10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成摻雜的半導(dǎo)體層；

在所述摻雜的半導(dǎo)體層上方形成擴散阻擋層，所述擴散阻擋層包括交替的外延硅層和氧的部分單層；

在所述擴散阻擋層上方形成包括晶體管的器件層；以及

將所述器件層轉(zhuǎn)移到工件上，其中，所述轉(zhuǎn)移包括：

將所述器件層接合到所述工件；和

在所述接合之后，去除所述襯底、所述摻雜的半導(dǎo)體層和所述擴散阻擋層。