[發明專利]一種低介電常數聚酰亞胺薄膜的制備方法在審
| 申請號: | 202110738481.6 | 申請日: | 2021-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN113501985A | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發明(設計)人: | 徐哲;劉國隆;解惠東;邵成蒙 | 申請(專利權)人: | 浙江中科玖源新材料有限公司 |
| 主分類號: | C08J5/18 | 分類號: | C08J5/18;C08L79/08;C08L27/18;C08G73/10 |
| 代理公司: | 合肥金律專利代理事務所(普通合伙) 34184 | 代理人: | 楊霞 |
| 地址: | 321100 浙江省金華*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 介電常數 聚酰亞胺 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種低介電常數聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于,通過將芳香二胺與聚四氟乙烯分散液混合后,與脂肪族二酐進行聚合、亞胺化制備得到;所述聚四氟乙烯分散液包括聚四氟乙烯微粉、全氟烷基乙氧基硅烷、油性溶劑。
2.根據權利要求1所述的低介電常數聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于,所述聚四氟乙烯分散液中,聚四氟乙烯微粉占聚四氟乙烯分散液重量的40-60%。
3.根據權利要求1或2所述的低介電常數聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于,所述聚四氟乙烯分散液中,聚四氟乙烯微粉與全氟烷基乙氧基硅烷的重量比為60-80:5-15。
4.根據權利要求1-3任一項所述的低介電常數聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于,所述聚四氟乙烯微粉的平均粒徑為0.05-10μm;優選為0.05-0.5μm。
5.根據權利要求1-4任一項所述的低介電常數聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于,所述全氟烷基乙氧基硅烷為十三氟辛基三乙氧基硅烷。
6.根據權利要求1-5任一項所述的低介電常數聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于,所述油性溶劑為酮類溶劑。
7.根據權利要求1-6任一項所述的低介電常數聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于,所述聚四氟乙烯微粉的重量與所述芳香二胺和脂肪族二酐的總重量的比為0.5-2:1。
8.根據權利要求1-7任一項所述的低介電常數聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于,所述脂肪族二酐選自1,2,3,4-環戊四羧酸二酐或雙環[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐。
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