[發(fā)明專利]扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110738098.0
• 申請日: 2021-06-30
• 公開（公告）號: CN115547943A
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林耀劍;左健;楊丹鳳;高英華;劉碩
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

本發(fā)明提供一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，所述扇出型封裝結(jié)構(gòu)包括至少一個芯片和設(shè)于芯片功能面?zhèn)鹊闹辽僖粚又夭季€層，所述重布線層包括介電層和分布于所述介電層內(nèi)的金屬布線層，所述扇出型封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一個設(shè)置于所述重布線層上的假片，所述假片與所述芯片之間絕緣設(shè)置，所述金屬布線層與所述假片之間接觸設(shè)置。通過在重布線層上設(shè)置假片，并將其與金屬布線層與其相接，使得假片不僅能夠起到結(jié)構(gòu)支撐、抑制翹曲的作用，還能夠形成連續(xù)的散熱通道，提高扇出型封裝結(jié)構(gòu)的熱管理能力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

在扇出型封裝中，其通常具有較大的芯片長寬比、較厚重的重布線層堆疊結(jié)構(gòu)和較少的塑封料選項(xiàng)，這導(dǎo)致了扇出型封裝結(jié)構(gòu)的熱管理能力較差，為了加強(qiáng)散熱會將塑封層減薄使芯片非功能面外露，但在上述幾個結(jié)構(gòu)特征的共同作用下，不同材料間的熱膨脹差異會進(jìn)一步造成的扇出型封裝結(jié)構(gòu)出現(xiàn)翹曲的情況。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

本發(fā)明提供一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其包括至少一個芯片和設(shè)于芯片功能面?zhèn)鹊闹辽僖粚又夭季€層，所述重布線層包括介電層和分布于所述介電層內(nèi)的金屬布線層，所述扇出型封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一個設(shè)置于所述重布線層上的假片，所述假片與所述芯片之間絕緣設(shè)置，所述金屬布線層與所述假片之間接觸設(shè)置。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，相鄰于所述假片的第一介電層內(nèi)設(shè)置有至少一個位于所述假片下方的第一通孔，分布于所述第一介電層內(nèi)的第一金屬布線層通過所述第一通孔連接于所述假片。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述假片包括設(shè)置于其下表面的絕緣層，所述第一金屬布線層連接于所述絕緣層。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述芯片功能面上包括多個焊盤和分布于所述焊盤之間的絕緣區(qū)，所述焊盤電性連接于所述第一金屬布線層。所述第一介電層內(nèi)設(shè)置有至少一個位于所述絕緣區(qū)下方的第二通孔，所述金屬布線層通過所述第二通孔連接于所述絕緣區(qū)。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，還包括塑封層，包覆所述芯片和所述假片，所述第一介電層內(nèi)設(shè)置有至少一個位于所述塑封層區(qū)域下方的第三通孔，所述金屬布線層通過所述第三通孔連接于所述塑封層。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述塑封層至少完全包覆所述假片的上表面。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述假片上表面設(shè)置有散熱層，所述塑封層至少包覆所述散熱層側(cè)面。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述假片上表面設(shè)置有向內(nèi)凹陷的空腔，所述塑封層至少填充于所述空腔內(nèi)。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述空腔表面設(shè)置有一層散熱層。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述散熱層至少厚于所述金屬布線層。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述假片和所述芯片形成等效長寬，該等效長寬與所述扇出型封裝結(jié)構(gòu)的長寬形成有效相對長寬比范圍為0.5～1.5，或所述芯片和所述假片側(cè)面X方向的塑封層面積與Y方向的塑封層面積比范圍為0.5～ 1.5。

本發(fā)明還提供一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)制作方法，包括步驟：

提供芯片和假片，塑封所述芯片和所述假片，并暴露所述芯片功能面和假片下表面，形成塑封層；

在所述芯片功能面和所述假片下表面?zhèn)刃纬砂ń殡妼雍徒饘俨季€層的重布線層，并將所述金屬布線層直接與所述假片之間接觸設(shè)置；

切割獲得單顆扇出型封裝結(jié)構(gòu)。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，“將金屬布線層直接與所述假片之間接觸設(shè)置”具體包括：