[發明專利]扇出型封裝結構及其制作方法在審
| 申請號： | 202110738098.0 | 申請日： | 2021-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN115547943A | 公開（公告）日： | 2022-12-30 |
| 發明（設計）人： | 林耀劍;左健;楊丹鳳;高英華;劉碩 | 申請（專利權）人： | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈曉敏 |
| 地址： | 214430 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 扇出型 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種扇出型封裝結構，其包括至少一個芯片和設于芯片功能面側的至少一層重布線層，所述重布線層包括介電層和分布于所述介電層內的金屬布線層，其特征在于：
所述扇出型封裝結構還包括至少一個設置于所述重布線層上的假片，所述假片與所述芯片之間絕緣設置，所述金屬布線層與所述假片之間接觸設置。
2.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，相鄰于所述假片的第一介電層內設置有至少一個位于所述假片下方的第一通孔，分布于所述第一介電層內的第一金屬布線層通過所述第一通孔連接于所述假片。
3.根據權利要求2所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述假片包括設置于其下表面的絕緣層，所述第一金屬布線層連接于所述絕緣層。
4.根據權利要求2所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述芯片功能面上包括多個焊盤和分布于所述焊盤之間的絕緣區，所述焊盤電性連接于所述第一金屬布線層，所述第一介電層內設置有至少一個位于所述絕緣區下方的第二通孔，所述金屬布線層通過所述第二通孔連接于所述絕緣區。
5.根據權利要求2所述的扇出型封裝結構，其特征在于，還包括塑封層，包覆所述芯片和所述假片，所述第一介電層內設置有至少一個位于所述塑封層區域下方的第三通孔，所述金屬布線層通過所述第三通孔連接于所述塑封層。
6.根據權利要求5所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述塑封層至少完全包覆所述假片的上表面。
7.根據權利要求5所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述假片上表面設置有散熱層，所述塑封層至少包覆所述散熱層的側面。
8.根據權利要求5所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述假片上表面設置有向內凹陷的空腔，所述塑封層至少填充于所述空腔內。
9.根據權利要求8所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述空腔表面設置有一層散熱層。
10.根據權利要求7或9所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述散熱層至少厚于所述金屬布線層。
11.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述假片和所述芯片形成等效長寬，所述等效長寬與所述扇出型封裝結構的長寬形成有效相對長寬比范圍為0.5～1.5，或所述芯片和所述假片側面X方向的塑封層面積與Y方向的塑封層面積比范圍為0.5～1.5。
12.一種扇出型封裝結構制作方法，其特征在于，包括步驟：
提供芯片和假片，塑封所述芯片和所述假片，并暴露所述芯片功能面和假片下表面，形成塑封層；
在所述芯片功能面和所述假片下表面側形成包括介電層和金屬布線層的重布線層，并將所述金屬布線層直接與所述假片之間接觸設置；
切割獲得單顆扇出型封裝結構。
13.根據權利要求12所述的扇出型封裝結構制作方法，其特征在于，“將金屬布線層直接與所述假片之間接觸設置”具體包括：
在所述芯片功能面和所述假片下表面側形成第一金屬布線層和第一介電層21a，并在所述第一介電層21a上開設至少一個位于所述假片下方的第一通孔，將第一金屬布線層通過第一通孔連接于所述假片。
14.根據權利要求13所述的扇出型封裝結構制作方法，其特征在于，在“形成塑封層”之前還包括步驟：
在所述假片下表面設置一層絕緣層。
15.根據權利要求13所述的扇出型封裝結構制作方法，其特征在于，還包括步驟：
在所述第一介電層上開設至少一個位于芯片功能面絕緣區下方的第二通孔，將第一金屬布線層通過第二通孔連接于所述絕緣區。
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