[發明專利]半導體器件及其制作方法、芯片

有效

• 申請號: 202110736489.9
• 申請日: 2021-06-30
• 公開（公告）號: CN113471158B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 朱奎;薛廣杰
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/488;H01L21/48
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圓，所述第一晶圓包括第一襯底、位于所述第一襯底上的第一介質層和嵌設在所述第一介質層中的第一金屬層；在部分所述第一襯底的表面形成金屬硅化物層；所述金屬硅化物層與所述第一金屬層在所述第一介質層上的投影至少部分重合；

形成硅通孔，所述硅通孔貫穿所述第一襯底暴露出所述金屬硅化物層；

形成開孔，所述開孔貫穿所述金屬硅化物層和部分厚度的所述第一介質層并暴露出所述第一金屬層；

形成焊盤，所述焊盤至少形成在所述硅通孔中并與所述第一金屬層電連接。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在部分所述第一襯底的表面形成金屬硅化物層，包括：

在所述第一襯底靠近所述第一介質層的一側表面形成自對準硅化物阻擋層；

去除覆蓋部分所述第一襯底表面的所述自對準硅化物阻擋層，在部分所述第一襯底的表面形成所述金屬硅化物層。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述金屬硅化物層的厚度為10μm～50μm。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述金屬硅化物層的材質包括：鎳化硅、鈦化硅或鈷化硅中的至少一種。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第一襯底上形成有若干淺溝槽隔離氧化層，在相鄰的所述淺溝槽隔離氧化層之間的所述第一襯底的表面形成所述金屬硅化物層。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第一襯底位于相鄰的所述淺溝槽隔離氧化層之間的區域定義為有源區，所述硅通孔至少貫穿所述第一襯底的所述有源區。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述開孔在所述第一襯底上的投影落入所述有源區范圍內。

8.如權利要求1至7任意一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第一晶圓還包括嵌設在所述第一介質層中的第一導電層和位于所述第一介質層表面的第一鍵合層。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，還包括：

提供第二晶圓，所述第二晶圓包括：第二襯底、位于所述第二襯底上的第二介質層、嵌設在所述第二介質層中的第二導電層和位于所述第二介質層表面的第二鍵合層；

將所述第一晶圓和所述第二晶圓鍵合；其中，所述第一鍵合層和所述第一導電層面向所述第二鍵合層和所述第二導電層鍵合。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：

第一晶圓，所述第一晶圓包括第一襯底、位于所述第一襯底上的第一介質層和嵌設在所述第一介質層中的第一金屬層；在部分所述第一襯底的表面形成有金屬硅化物層；所述金屬硅化物層與所述第一金屬層在所述第一介質層上的投影至少部分重合；

硅通孔，所述硅通孔貫穿所述第一襯底暴露出所述金屬硅化物層；

開孔，所述開孔貫穿所述金屬硅化物層和部分厚度的所述第一介質層并暴露出所述第一金屬層；

焊盤，所述焊盤形成在所述硅通孔中并與所述第一金屬層電連接。

11.如權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述第一襯底上形成有若干淺溝槽隔離氧化層，在相鄰的所述淺溝槽隔離氧化層之間的所述第一襯底的表面形成所述金屬硅化物層。