[發明專利]一種無線充電用屏蔽片制備設備及制備工藝

在審

• 申請號: 202110733466.2
• 申請日: 2021-06-30
• 公開（公告）號: CN113659738A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 姜桂君;張繼林;張學斌;唐嘯;李晨
• 申請（專利權）人: 信維通信（江蘇）有限公司
• 主分類號: H02J50/70
• 分類號: H02J50/70;B32B37/10;B32B38/18;B32B38/14
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 張鵬

本發明公開了一種無線充電用屏蔽片制備設備及制備工藝，無線充電用屏蔽片制備設備包括第一放卷軸、第一收卷軸、多個二次碎磁裝置及多個壓合組件，第一放卷軸用于放卷托底膜，第一收卷軸用于收卷托底膜，二次碎磁裝置依次間隔設于托底膜的行進路徑的上方，二次碎磁裝置包括放卷輥、第二放卷軸、第二收卷軸、碎磁輥和支撐輥；壓合組件與二次碎磁裝置一一對應設置；碎磁輥上設有能夠在整體碎磁后的納米晶帶材上形成環狀圖案的碎磁區或非碎磁區。無線充電用屏蔽片制備設備及制備工藝能夠在經過整體碎磁后的納米晶帶材上進行二次碎磁，使得屏蔽片上能夠形成磁導率與其他區域磁導率不同的環狀區域，制得能夠提高充電效率的無線充電用特殊結構屏蔽片。

技術領域

本發明涉及屏蔽片加工技術領域，尤其涉及一種無線充電用屏蔽片制備設備及制備工藝。

背景技術

隨著無線充電在手機等電子消費領域的應用逐漸增多，對于手機充電效率的要求也越來越高，一般手機的無線充電的效率在60-85％，尚有提高空間。

申請人發現了一種根據磁場分布，不同區域不同磁導率的特殊結構屏蔽片能夠有效地提高無線充電模組的充電效率，其構造如圖1和圖2所示，納米晶片包括由內向外依次設置的第一區域20、環狀圖案30及第二區域40，所述環狀圖案30環繞所述第一區域20設置，所述第二區域40圍繞所述環狀圖案30設置，其中，第一區域20與第二區域40磁導率相同，環狀圖案30的磁導率高于或低于第一區域20的磁導率。由于這種特殊結構屏蔽片是新發現，所以，現有技術缺少能夠適用于制備這種特殊結構屏蔽片的制備設備及制備工藝。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種無線充電用屏蔽片制備設備及制備工藝。

為了解決上述技術問題，本發明采用的技術方案為：一種無線充電用屏蔽片制備設備，包括第一放卷軸、第一收卷軸、多個二次碎磁裝置及多個壓合組件，所述第一放卷軸用于放卷托底膜，所述第一收卷軸用于收卷托底膜，所述二次碎磁裝置依次間隔設于所述托底膜的行進路徑的上方，所述二次碎磁裝置包括放卷輥、第二放卷軸、第二收卷軸、碎磁輥和支撐輥，所述放卷輥用于放卷整體碎磁后的納米晶帶材，所述第二放卷軸用于放卷支撐保護整體碎磁后的納米晶帶材的保護膜，所述碎磁輥對應于支撐輥設置，所述碎磁輥用于對整體碎磁后的納米晶帶材進行第二次碎磁，所述第二收卷軸用于收卷與經第二次碎磁后的納米晶帶材分離的所述保護膜；所述壓合組件與所述二次碎磁裝置一一對應設置，壓合組件用于將經第二次碎磁后的納米晶帶材壓合在托底膜或另一經第二次碎磁后的納米晶帶材上；所述碎磁輥上設有能夠在整體碎磁后的納米晶帶材上形成環狀圖案的碎磁區或非碎磁區。

進一步的，還包括用于糾偏所述托底膜的自動糾偏裝置。

進一步的，所述自動糾偏裝置靠近所述第一放卷軸設置。

進一步的，靠近所述第一放卷軸的所述二次碎磁裝置上還設有用于在所述托底膜上設置標記的打標組件，其余的所述二次碎磁裝置上還設有識別所述標記的定位組件。

進一步的，所述二次碎磁裝置還包括連接所述碎磁輥的壓力調節組件。

為了解決上述技術問題，本發明采用的技術方案二為：一種無線充電用屏蔽片制備工藝，包括如下步驟，

提供經過整體碎磁的多個納米晶帶材；

利用碎磁輥對所述納米晶帶材進行第二次碎磁，所述碎磁輥上設有能夠在所述納米晶帶材上形成環狀圖案的碎磁區或非碎磁區；

將經過所述第二次碎磁的多個納米晶帶材層疊相連，得到疊構帶材；

裁切所述疊構帶材，得到無線充電用屏蔽片。

進一步的，“將經過所述第二次碎磁的多個納米晶帶材層疊相連”時，相鄰的兩個納米晶帶材上的環狀圖案對齊。