[發(fā)明專利]一種無線充電用屏蔽片制備設備及制備工藝

在審

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• 申請日: 2021-06-30
• 公開（公告）號: CN113659738A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設計）人: 姜桂君;張繼林;張學斌;唐嘯;李晨
• 申請（專利權(quán)）人: 信維通信（江蘇）有限公司
• 主分類號: H02J50/70
• 分類號: H02J50/70;B32B37/10;B32B38/18;B32B38/14
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 張鵬

1.一種無線充電用屏蔽片制備設備，其特征在于：包括第一放卷軸、第一收卷軸、多個二次碎磁裝置及多個壓合組件，所述第一放卷軸用于放卷托底膜，所述第一收卷軸用于收卷托底膜，所述二次碎磁裝置依次間隔設于所述托底膜的行進路徑的上方，所述二次碎磁裝置包括放卷輥、第二放卷軸、第二收卷軸、碎磁輥和支撐輥，所述放卷輥用于放卷整體碎磁后的納米晶帶材，所述第二放卷軸用于放卷支撐保護整體碎磁后的納米晶帶材的保護膜，所述碎磁輥對應于支撐輥設置，所述碎磁輥用于對整體碎磁后的納米晶帶材進行第二次碎磁，所述第二收卷軸用于收卷與經(jīng)第二次碎磁后的納米晶帶材分離的所述保護膜；所述壓合組件與所述二次碎磁裝置一一對應設置，壓合組件用于將經(jīng)第二次碎磁后的納米晶帶材壓合在托底膜或另一經(jīng)第二次碎磁后的納米晶帶材上；所述碎磁輥上設有能夠在整體碎磁后的納米晶帶材上形成環(huán)狀圖案的碎磁區(qū)或非碎磁區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無線充電用屏蔽片制備設備，其特征在于：還包括用于糾偏所述托底膜的自動糾偏裝置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的無線充電用屏蔽片制備設備，其特征在于：所述自動糾偏裝置靠近所述第一放卷軸設置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無線充電用屏蔽片制備設備，其特征在于：靠近所述第一放卷軸的所述二次碎磁裝置上還設有用于在所述托底膜上設置標記的打標組件，其余的所述二次碎磁裝置上還設有識別所述標記的定位組件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無線充電用屏蔽片制備設備，其特征在于：所述二次碎磁裝置還包括連接所述碎磁輥的壓力調(diào)節(jié)組件。

6.一種無線充電用屏蔽片制備工藝，其特征在于：包括如下步驟，

提供經(jīng)過整體碎磁的多個納米晶帶材；

利用碎磁輥對所述納米晶帶材進行第二次碎磁，所述碎磁輥上設有能夠在所述納米晶帶材上形成環(huán)狀圖案的碎磁區(qū)或非碎磁區(qū)；

將經(jīng)過所述第二次碎磁的多個納米晶帶材層疊相連，得到疊構(gòu)帶材；

裁切所述疊構(gòu)帶材，得到無線充電用屏蔽片。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的無線充電用屏蔽片制備工藝，其特征在于：“將經(jīng)過所述第二次碎磁的多個納米晶帶材層疊相連”時，相鄰的兩個納米晶帶材上的環(huán)狀圖案對齊。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的無線充電用屏蔽片制備工藝，其特征在于：“將經(jīng)過所述第二次碎磁的多個納米晶帶材層疊相連”時，先在托底膜上層疊壓合一層經(jīng)過所述第二次碎磁的納米晶帶材，然后將另一經(jīng)過所述第二次碎磁的納米晶帶材層疊壓合在前一次已層疊壓合在所述托底膜上的經(jīng)過所述第二次碎磁的納米晶帶材上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的無線充電用屏蔽片制備工藝，其特征在于：在將經(jīng)過所述第二次碎磁的納米晶帶材層疊壓合在所述托底膜上時，在所述托底膜上制造標記；在將經(jīng)過所述第二次碎磁的納米晶帶材層疊壓合在另一經(jīng)過所述第二次碎磁的納米晶帶材上時，根據(jù)所述標記進行對位。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的無線充電用屏蔽片制備工藝，其特征在于：“將經(jīng)過所述第二次碎磁的多個納米晶帶材層疊相連”時，所述托底膜處于行進狀態(tài)。