[發明專利]半導體工藝設備及其門閥中位調節裝置有效
| 申請號: | 202110732619.1 | 申請日: | 2021-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN113431910B | 公開(公告)日: | 2023-06-16 |
| 發明(設計)人: | 耿宏偉 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | F16K3/02 | 分類號: | F16K3/02;F16K3/30;F16K27/04;F16K31/122;F16K37/00 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 工藝設備 及其 門閥 調節 裝置 | ||
本發明提供一種用于半導體工藝設備的門閥中位調節裝置,半導體工藝設備包括工藝腔室和門閥組件,門閥組件包括閥板和中位調節件,中位調節件用于通過轉動來調節閥板處于中位狀態時出氣口的開度,門閥中位調節裝置包括套筒和調節桿,套筒套設在調節桿上,調節桿的第一端用于與中位調節件連接并帶動中位調節件繞調節桿的軸線轉動;套筒能夠在調節桿轉動時沿調節桿的軸向進行直線運動,且套筒與調節桿沿軸向的相對位置的變化量與調節桿的旋轉角度成正比,門閥中位調節裝置上具有位置標識圖案,用于量化套筒與調節桿之間相對位置的變化量。本發明提供的門閥中位調節裝置能夠提高調節工藝腔室壓力的調節效率及精確性。本發明還提供一種半導體工藝設備。
技術領域
本發明涉及半導體工藝設備領域,具體地,涉及一種用于半導體工藝設備的門閥中位調節裝置以及一種包括該門閥中位調節裝置的半導體工藝設備。
背景技術
高真空門閥(Gate?Valve)被廣泛使用在物理氣相沉積(PVD,Physical?VaporDeposition)設備中,用于實現物理氣相沉積設備中工藝腔的高真空隔離和小范圍壓力控制。
典型的門閥組件通常包括閥板和閥板控制機構,其中,閥板用于與工藝腔的出氣口匹配設置,該閥板控制機構用于控制閥板的位置,以使得閥板開啟該出氣口(即開位,Open?Position)封閉該出氣口(即關位,Closed?Position)或者部分封閉該出氣口(即中位,Intermediate?Position)。該門閥組件還包括中位調節件,中位調節件用于微調該閥板處于中位狀態時的位置。在閥板進入關位時,工藝腔為封閉狀態,氣壓不變,在閥板進入開位時,可以對工藝腔進行全速抽氣,只有在閥板進入中位時,可以通過旋轉中位調節件調節出氣口的開口大小,實現微調工藝腔的出氣速率,進而改變工藝腔進氣速率與工藝腔排氣速率之間的差值,以改變工藝腔中的氣壓。
在現有的半導體生產工藝中,對中位調節件的調節需要操作人員行動至門閥組件附近并手動調節中位調節件,調節中位調節件后再返回用于反映工藝腔內部氣壓等信息的儀表處觀察工藝腔內的氣壓變化情況,之后根據觀察到的氣壓情況再次行動至門閥組件手動調節中位調節件。由于手動調節量僅能憑借個人經驗確定,且中位調節件的旋轉角度與腔室壓力之間不是線性關系,中位調節件上也無任何標記,無法量化調節過程,操作人員通常需往返多次對中位調節件進行調整,以將工藝腔內的氣壓調節至所需壓強范圍。該調節過程操作繁瑣且耗時較長,導致半導體工藝整體效率低下。
因此,如何提供一種可實現高效、便捷地調節控制半導體工藝設備中門閥組件的中位調節件的調節方案,成為本領域亟待解決的技術問題。
發明內容
本發明旨在提供一種用于半導體工藝設備的門閥中位調節裝置以及一種半導體工藝設備,該門閥中位調節裝置能夠提高調節工藝腔室壓力的調節效率,并提高半導體工藝的工藝效果。
為實現上述目的,作為本發明的一個方面,提供一種用于半導體工藝設備的門閥中位調節裝置,所述半導體工藝設備包括工藝腔室和用于控制所述工藝腔室的出氣口開度的門閥組件,所述門閥組件包括閥板和中位調節件,所述中位調節件用于通過轉動來調節所述閥板處于中位狀態時所述出氣口的開度,所述門閥中位調節裝置包括套筒和調節桿,所述套筒套設在所述調節桿上,所述調節桿的第一端用于與所述中位調節件連接并帶動所述中位調節件繞所述調節桿的軸線轉動;所述套筒能夠在所述調節桿轉動時沿所述調節桿的軸向進行直線運動,且所述套筒與所述調節桿沿軸向的相對位置的變化量與所述調節桿的旋轉角度成正比,所述門閥中位調節裝置上具有位置標識圖案,所述位置標識圖案用于量化所述套筒與所述調節桿之間的相對位置的變化量。
可選地,所述套筒的內壁上形成有內螺紋,所述調節桿包括螺紋段,且所述螺紋段的外周壁形成有外螺紋,所述外螺紋與所述內螺紋相配合。
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