[發(fā)明專利]一種低功耗超快恢復整流二極管的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110731939.5
• 申請日: 2021-06-29
• 公開（公告）號: CN113314414A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設計）人: 吳王進;古進;龔昌明;楊波;陳海;何燕杰;唐志甫
• 申請（專利權(quán)）人: 中國振華集團永光電子有限公司（國營第八七三廠）
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L29/861
• 代理公司: 貴州派騰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 52114
• 代理人: 汪勁松

1.一種低功耗超快恢復整流二極管的制造方法，其步驟為：

一、選用高電導P型單晶硅片，先進行單面硼擴散，再在硼擴散面采用電子束蒸發(fā)形成金屬化層薄膜；

二、選用N型單晶硅片，進行單面硼擴散，后在硼面進行電子束蒸發(fā)形成金屬化層薄膜；

三、將步驟一和步驟二加工好的硅片采用金屬化層進行高溫鍵合，鍵合設備為真空燒結(jié)爐；

四、將鍵合好的硅片進行硅片研磨減薄；。

五、將研磨好的硅片清洗干凈；

六、調(diào)節(jié)離子注入機的能量和注入角度，N型硅片面進行磷的注入，對P型硅片進行硼的注入；

七、將離子注入后的硅片進行電子束蒸發(fā)形成雙面金屬化層。

八、管芯成形；

九、裝模燒焊；

十、腐蝕成型。

2.如權(quán)利要求1所述的低功耗超快恢復整流二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟一中P型單晶硅片的厚度為300μm±5μm，電阻率為0.01Ω·cm～0.02Ω·cm。

3.如權(quán)利要求1所述的低功耗超快恢復整流二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟二中N型單晶硅片的厚度為300μm±5μm，電阻率為20Ω·cm～25Ω·cm。

4.如權(quán)利要求1所述的低功耗超快恢復整流二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟四中N型硅片研磨掉180μm±5μm，P型硅片研磨掉180μm±5μm，研磨后硅片總厚度為240μm±5微米。

5.如權(quán)利要求1所述的低功耗超快恢復整流二極管的制造方法，其特征在于：步驟六中所述離子注入機的能量和注入角度大小為dose＝1e13和0degrees。