[發(fā)明專利]發(fā)光基板及其制備方法

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• 申請日: 2021-06-29
• 公開（公告）號: CN113488457A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許占齊;胡海峰;楊忠正;江玉;邱震;盧鑫泓;齊琪
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L21/683;G09F9/30
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 李迎亞;姜春咸

1.一種發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，包括：

通過貼附工藝在支撐基板上形成柔性基底；

在所述柔性基底制備電學(xué)結(jié)構(gòu)；

在所述電學(xué)結(jié)構(gòu)上制備形成發(fā)光元件；所述發(fā)光元件與部分所述電學(xué)結(jié)構(gòu)連接；

將形成有所述發(fā)光元件的柔性基底從所述支撐基板上剝離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述通過貼附工藝在支撐基板上形成柔性基底的步驟包括：

在支撐基板上通過形成溫控膠層；

通過貼附工藝在形成有所述溫控膠層的支撐基板上形成柔性基底。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，還包括：對形成有所述柔性基底的支撐基板進行加熱。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述將形成有所述發(fā)光元件的柔性基底從所述支撐基板上剝離的步驟包括：

對所述支撐基板進行降溫處理，將形成有所述發(fā)光元件的柔性基底從所述支撐基板上剝離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述電學(xué)結(jié)構(gòu)包括位于第一導(dǎo)電層中的第一導(dǎo)電圖案和位于第二導(dǎo)電層中的連接圖案；所述發(fā)光元件與部分所述連接圖案耦接；

所述在所述柔性基底制備電學(xué)結(jié)構(gòu)的步驟包括：

通過構(gòu)圖工藝在所述柔性基底上形成第一導(dǎo)電層；

通過構(gòu)圖工藝在形成有所述第一導(dǎo)電層的柔性基底上形成可撓性絕緣層；所述可撓性絕緣層包括第一開口，所述第一開口貫穿所述可撓性絕緣層，裸露出至少部分所述第一導(dǎo)電圖案；

在形成有所述可撓性絕緣層的柔性基底上形成第二導(dǎo)電層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述通過構(gòu)圖工藝在形成有所述第一導(dǎo)電層的柔性基底上形成可撓性絕緣層的步驟包括：

通過成膜工藝在形成有所述第一導(dǎo)電層的柔性基底上形成可撓性絕緣膜層；

通過激光雕刻工藝去除部分所述可撓性絕緣膜層，以形成具有所述第一開口的可撓性絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述成膜工藝包括：夾縫式涂布工藝、旋涂工藝、貼附工藝中的至少一者。

8.一種發(fā)光基板，基于權(quán)利要求1至7中任意一項所述的制備方法形成，其特征在于，所述發(fā)光基板包括：

柔性基底；

電學(xué)結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述柔性基底上；

發(fā)光元件，設(shè)置與所述柔性基底上，并與部分所述電學(xué)結(jié)構(gòu)連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述柔性基底的材料包括環(huán)烯烴聚合物、聚酯薄膜、聚酰亞胺(PI)、PEN樹脂、硅膠樹脂中的至少一者。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述電學(xué)結(jié)構(gòu)包括：位于第一導(dǎo)電層中的第一導(dǎo)電圖案和位于第二導(dǎo)電層中的連接圖案；所述第一導(dǎo)電層位于所述第二導(dǎo)電層靠近所述柔性基底的一側(cè)；

所述發(fā)光基板還包括：位于所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的可撓性絕緣層；所述可撓性絕緣層包括第一開口，所述第一開口貫穿所述可撓性絕緣層，裸露出至少部分所述第一導(dǎo)電圖案。