[發明專利]發光單元及其制備方法、顯示面板、顯示裝置在審
| 申請號: | 202110728984.5 | 申請日: | 2021-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN113451381A | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發明(設計)人: | 李然;田宏偉;王晶 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 張筱寧;宋海斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 單元 及其 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請實施例提供了一種發光單元及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。該發光單元,包括依次設置的金屬結構、第一平坦層、電介質結構、第二平坦層和有機發光器件層。本申請實施例中,電介質結構將設計波段的光透射至金屬結構,金屬結構吸收設計波段的光中的非中心波段的部分,達到濾波的作用,過濾后的設計波段的光具有更高的色純度,從而可以提高光的顏色的精度或純度,從而有利于提升具有本發明提供的發光單元的顯示面板和顯示裝置的色域的質量,進而提高顯示面板和顯示裝置的顯示效果。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體而言,本申請涉及一種發光單元及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。
背景技術
超表面是近些年來發展起來的一種新型二維光學材料,超表面可以將像素尺寸降低到100納米左右,單位英寸的像素數能達到數千甚至上萬,完全超過了當前階段OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)的單位英寸的像素數。
但是,相對于當前階段OLED顯示技術,超表面會導致光的色純度低。
發明內容
本申請針對現有方式的缺點,提出一種發光單元及其制備方法、顯示面板、顯示裝置,用以解決現有技術存在的超表面導致光的色純度低的技術問題。
第一個方面,本申請實施例提供了一種發光單元,包括:金屬結構,位于基材層的一側;第一平坦層,位于所述基材層和所述金屬結構的一側;電介質結構,位于所述第一平坦層遠離所述金屬結構的一側;第二平坦層,位于所述電介質結構遠離所述第一平坦層的一側;有機發光器件層,位于所述第二平坦層遠離所述電介質結構的一側;所述電介質結構用于將設計波段的光透射至所述金屬結構,所述金屬結構用于吸收所述設計波段的光中的非中心波段的部分,得到過濾后的所述設計波段的光并反射,所述電介質結構用于透射過濾后的所述設計波段的光。
可選地,所述電介質結構和所述金屬結構均具有結構陣列,所述結構陣列為納米圓柱陣列或納米球陣列。
可選地,發光單元還包括設置在所述基材層和所述金屬結構之間的薄膜晶體管層。
可選地,發光單元還包括設置在所述第二平坦層和所述有機發光器件層之間的薄膜晶體管層。
第二個方面,本申請實施例提供了一種顯示面板,包括至少三種本申請實施例第一方面提供的所述的發光單元,用于過濾至少三種設計波段的光中的非中心波段的部分,并出射過濾后的至少三種所述設計波段的光。
可選地,至少三種所述發光單元包括第一顏色的發光單元,所述第一顏色的發光單元用于過濾第一設計波段的光中非中心波段的部分,并出射過濾后的所述第一設計波段的光;所述第一顏色的發光單元包括:電介質結構的納米圓柱高度為60納米至100納米,底面直徑為90納米至200納米,任意相鄰的兩個所述電介質結構的納米圓柱的間隔為90納米至400納米;金屬結構的納米圓柱高度為60納米至100納米,底面直徑為80納米至200納米,任意相鄰兩個所述金屬結構的納米圓柱的間隔為120納米至400納米。
可選地,至少三種所述發光單元包括第二顏色的發光單元,所述第二顏色的發光單元用于過濾第二設計波段的光中非中心波段的部分,并出射過濾后的所述第二設計波段的光;所述第二顏色的發光單元包括:電介質結構的納米圓柱高度為60納米至100納米,底面直徑為80納米至120納米,任意相鄰的兩個所述電介質結構的納米圓柱的間隔為90納米至400納米;金屬結構的納米圓柱高度為60納米至100納米,底面直徑為80納米至120納米,任意相鄰兩個所述金屬結構的納米圓柱的間隔為120納米至400納米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





