[發明專利]一種防反接的自恢復過流保護電路在審
| 申請號： | 202110728019.8 | 申請日： | 2021-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN113437726A | 公開（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發明（設計）人： | 杜露濤;肖利華;李祥;童斌;趙迪 | 申請（專利權）人： | 重慶長安新能源汽車科技有限公司 |
| 主分類號： | H02H3/08 | 分類號： | H02H3/08;H02H3/06;H02H11/00 |
| 代理公司： | 重慶華科專利事務所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 401133 重慶市江*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 反接 恢復 保護 電路 | ||
1.一種防反接的自恢復過流保護電路，含有MOS管Q1、Q2和Q3，三極管Q4、Q5和Q6，電阻R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7，電阻R3作為限流反饋電阻控制MOS管Q3的通斷，POWER_IN輸入電源通過MOS管Q1輸入，最后通過MOS管Q2輸出到POWER_OUT；其特征在于：還包括一個二極管D1；
所述MOS管Q1的漏極D通過串聯二極管D1和電阻R3 與MOS管Q2的源極S連接，MOS管 Q1的源極S和柵極G之間接有電阻R1，P-MOS管Q1的源極S 接POWER_IN輸入電源，MOS管Q1 的柵極G 通過電阻R2與三極管Q4 的集電極連接，三極管Q4的基極經由一電阻與CONTROL控制信號連接，其發射極接地；
所述MOS管Q3的源極S和柵極G并接電阻R3，MOS管Q3的源極S接于電阻R3與二極管D1 負極相接處，MOS管Q3的漏極D經電阻R7 和三極管Q5并聯電路接地，MOS管Q3的漏極D經一電阻與三極管Q5 的基極連接，Q5 的發射極接地；
所述MOS 管Q3的柵極G 經電阻R4 與三極管Q5 的集電極連接，三極管Q5 的集電極經一電阻與三極管Q6 的基極相連；
所述MOS 管Q2的源極S和柵極G之間接有電阻R5，MOS 管Q2的柵極G通過電阻R6與三極管Q6 的集電極連接，Q6 的發射極接地；MOS管Q2 的漏極D 接POWER_OUT輸出電源。
2.根據權利要求1所述的防反接的自恢復過流保護電路，其特征在于，所述MOS管為P-MOS管。
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