[發(fā)明專利]一種奧氏體晶粒度腐蝕方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110726902.3 | 申請日： | 2021-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN113390736A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 熊飛;劉斌;宋暢;趙江濤;何亞元;杜明;韓榮東 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢鋼鐵有限公司 |
| 主分類號： | G01N3/32 | 分類號： | G01N3/32;G01N1/28 |
| 代理公司： | 武漢開元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42104 | 代理人： | 胡鎮(zhèn)西;張繼東 |
| 地址： | 430083 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 奧氏體 晶粒 腐蝕 方法 | ||
本發(fā)明涉及奧氏體腐蝕方法技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種奧氏體晶粒度腐蝕方法，包括如下步驟：制備試樣；將試樣利用夾具固定后在粗磨機(jī)上進(jìn)行粗磨；將粗磨后的試樣用水沖洗干凈后利用夾具安裝在精磨機(jī)上進(jìn)行精磨；精磨完成后，將試樣清洗后利用夾具固定在精磨機(jī)上進(jìn)行拋光；拋光完成后，將試樣取下進(jìn)行酒精超聲清洗，并吹干。本發(fā)明奧氏體晶粒度腐蝕方法，采用機(jī)械磨拋過程來實(shí)現(xiàn)奧氏體晶粒度的腐蝕，不涉及腐蝕試劑的調(diào)配，操作簡單方便。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及奧氏體腐蝕方法技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種奧氏體晶粒度腐蝕方法。
背景技術(shù)
奧氏體晶粒度對鋼材的生產(chǎn)及加工性能有著較大影響。因此，對于奧氏體晶粒度的檢驗(yàn)是后續(xù)研究的基礎(chǔ)。目前針對奧氏體晶粒度，有著各種各樣的腐蝕方法，主要有化學(xué)腐蝕法和高溫激光顯微鏡法以及滲碳法等，但以上方法有以下弊端：
1、化學(xué)腐蝕法涉及到不同鋼種采用不同的腐蝕試劑，配比繁復(fù)，并且不同濃度和腐蝕時(shí)間對腐蝕效果影響較大，不易于快速有效的腐蝕出奧氏體晶粒度；
2、高溫激光顯微鏡法主要是設(shè)備受限，并且僅適用于金屬材料在加熱到Ac3點(diǎn)以上奧氏體單相區(qū)域內(nèi)的奧氏體晶粒尺寸測量；
3、滲碳法主要也是設(shè)備受限，并且對過程不好管控。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是針對上述技術(shù)的不足，提供一種奧氏體晶粒度腐蝕方法，采用機(jī)械磨拋過程來實(shí)現(xiàn)奧氏體晶粒度的腐蝕，不涉及腐蝕試劑的調(diào)配，操作簡單方便。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的奧氏體晶粒度腐蝕方法，包括如下步驟：
A)制備試樣；
B)將試樣利用夾具固定后在粗磨機(jī)上進(jìn)行粗磨；
C)將粗磨后的試樣用水沖洗干凈后利用夾具安裝在精磨機(jī)上進(jìn)行精磨；
D)精磨完成后，將試樣清洗后利用夾具固定在精磨機(jī)上進(jìn)行拋光；
E)拋光完成后，將試樣取下進(jìn)行酒精超聲清洗，并吹干。
優(yōu)選的，所述步驟A)中，制備試樣按照GB/T13298-1991標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行取樣，并在司特爾鑲嵌機(jī)上進(jìn)行鑲制。
優(yōu)選的，所述步驟B)中，采用100～130N的壓力、130～170r/min的轉(zhuǎn)速對試樣進(jìn)行粗磨。
優(yōu)選的，所述步驟C)中，精磨包括如下步驟：
C1)安裝220的磨片后，采用100～130N的壓力、轉(zhuǎn)盤與夾具均130～170r/min的轉(zhuǎn)速(二者同速反向旋轉(zhuǎn))來對試樣進(jìn)行第一輪精磨，磨制時(shí)間4～6min；
C2)將220磨片更換成500的磨片后，采用100～130N的壓力、轉(zhuǎn)盤與夾具均130～170r/min的轉(zhuǎn)速(二者同速反向旋轉(zhuǎn))來對試樣進(jìn)行第二輪精磨，磨制時(shí)間4～6min；
C3)將500磨片更換成1200的磨片后，采用100～130N的壓力、轉(zhuǎn)盤與夾具均130～170r/min的轉(zhuǎn)速(二者同速反向旋轉(zhuǎn))來對試樣進(jìn)行第三輪精磨，磨制時(shí)間4～6min。
優(yōu)選的，所述步驟D)中，拋光包括如下步驟：
D1)取下磨片，換上9um的拋光盤，將試樣清洗后利用夾具固定在精磨機(jī)上進(jìn)行第一輪拋光，拋光液采用9um的懸浮液，拋光時(shí)，壓力采用90～110N，轉(zhuǎn)盤與夾具均140～160r/min的轉(zhuǎn)速(二者同向旋轉(zhuǎn))，拋光時(shí)間4～6min；
D2)第一輪拋光后，將9um拋光盤換成3um拋光盤，將試樣清洗后利用夾具固定在精磨機(jī)上進(jìn)行第二輪拋光，拋光液采用3um的懸浮液，拋光時(shí)，壓力采用90～110N，轉(zhuǎn)盤與夾具均140～160r/min的轉(zhuǎn)速(二者同向旋轉(zhuǎn))，拋光時(shí)間4～6min；
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