[發明專利]讀重試測試方法、裝置、可讀存儲介質及電子設備

有效

• 申請號: 202110724696.2
• 申請日: 2021-06-29
• 公開（公告）號: CN113470723B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 孫成思;孫日欣;王營許;高嵊昊;胡偉;朱渝林
• 申請（專利權）人: 成都佰維存儲科技有限公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 歐陽燕明

本發明公開一種讀重試測試方法、裝置、可讀存儲介質及電子設備，根據接收的待測閃存的讀重試功能的測試請求以塊為單位對所述待測閃存的目標操作模式進行遍歷，直至遍歷完所述目標操作模式中的所有塊；對于遍歷到的目標塊中的預設目標頁進行讀操作，得到目標原始數據；基于所述目標原始數據對所述預設目標頁的數據進行位翻轉，得到位翻轉后的預設目標頁；讀取所述位翻轉后的預設目標頁的數據，得到讀取結果，并根據所述讀取結果得到所述讀重試功能的測試結果，以此強制修改數據來進行位翻轉的構造，從而觸發主控的讀重試功能并對其進行測試，提高了測試讀重試功能的效率。

技術領域

本發明涉及閃存技術領域，尤其涉及一種讀重試測試方法、裝置、可讀存儲介質及電子設備。

背景技術

由于出廠質量較差、使用中磨損或者高溫環境影響等原因，NAND?flash(NAND閃存)主控在讀NAND?flash顆粒上的數據時，數據可能存在較多的bit(位)翻轉，需要通過主控的ECC(Error?Checking?and?Correcting，錯誤檢查和糾正)模塊來進行糾錯，并且主控一般會提供讀重試(read?retry，RR)和深度讀重試(deep?read?retry，DRR)功能，配合顆粒廠商提供的調整讀電壓偏移(read?offset)和讀軟數據(read?soft?data)等功能，以此能夠進一步提升糾錯能力，保護數據完整性。

不同顆粒廠商的NAND?flash的結構、控制邏輯不同，提供的read?offset、readsoft?data等功能的實現方法也相差較大；同時，支持多款flash顆粒也是NAND?flash主控通用性設計的要求，因此，基于現有主控適配新款flash顆粒是主控軟件開發人員的常見任務，而且RR、DRR功能也是適配新款顆粒任務中的重點。

一般情況下，RR和DRR功能的驗證，需要NAND?flash的數據超過主控的糾錯能力才能夠觸發執行，所以常用手段就是對NAND?flash進行擦除(erase)和編碼(program)之后對NAND?flash顆粒進行高溫處理，以使得NAND?flash中的數據質量變差，進而觸發主控執行RR和DRR流程，這個方法對NAND?flash的處理一般在幾小時左右，并且在驗證過程中由于軟件bug等原因，可能會需要進行多次高溫處理，因此對于RR和DRR功能的開發、驗證效率比較低。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種讀重試測試方法、裝置、可讀存儲介質及電子設備，能夠提高測試讀重試功能的效率。

為了解決上述技術問題，本發明采用的一種技術方案為：

一種讀重試測試方法，包括：

根據接收的待測閃存的讀重試功能的測試請求，以塊為單位對所述待測閃存的目標操作模式進行遍歷，直至遍歷完所述目標操作模式中的所有塊；

對于遍歷到的目標塊中的預設目標頁進行讀操作，得到目標原始數據；

基于所述目標原始數據對所述預設目標頁的數據進行位翻轉，得到位翻轉后的預設目標頁；

讀取所述位翻轉后的預設目標頁的數據，得到讀取結果，并根據所述讀取結果得到所述讀重試功能的測試結果。

為了解決上述技術問題，本發明采用的另一種技術方案為：

一種讀重試測試裝置，包括：

位翻轉構造模塊，用于：

根據接收的待測閃存的讀重試功能的測試請求以塊為單位對所述待測閃存的目標操作模式進行遍歷，直至遍歷完所述目標操作模式中的所有塊；

對于遍歷到的目標塊中的預設目標頁進行讀操作，得到目標原始數據；

基于所述目標原始數據對所述預設目標頁的數據進行位翻轉，得到位翻轉后的預設目標頁；