[發明專利]晶體管制造方法、設備、計算機可讀存儲介質與程序產品

在審

• 申請號: 202110723708.X
• 申請日: 2021-06-29
• 公開（公告）號: CN113451137A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 李青春
• 申請（專利權）人: 深圳銓力半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 深圳市漢瑞知識產權代理事務所(普通合伙) 44766
• 代理人: 李航

本發明公開了一種晶體管制造方法，包括：在外延片上熱生長場氧化層后，多次進行導電摻雜雜質的注入，以形成承壓環PN結、源區PN結和截止區PN結，源區PN結與承壓環PN結部分重疊；在場氧化層表面淀積摻雜氧化層PSG，并在摻雜氧化層PSG開設源區接觸孔和截止區接觸孔；在摻雜氧化層PSG、源區接觸孔和截止區接觸孔淀積金屬層，并去除源區接觸孔對應的源極與截止區接觸孔對應的場板之間的無效金屬層。本發明還公開了晶體管制造設備、計算機可讀存儲介質、程序產品。本發明多次注入導電摻雜雜質，在外延片上形成導通性良好的承壓環PN結、源區PN結和截止區PN結，且承壓環PN結與源區PN結部分重疊，使得晶體管的高溫特性穩定，高溫漏電小。

技術領域

本發明涉及晶體管技術領域，尤其涉及晶體管制造方法、設備計算機可讀存儲介質與程序產品。

背景技術

隨著科學技術的發展，電子技術的應用幾乎滲透到了人們生產生活的方方面面。晶體三極管(簡稱晶體管)作為電子技術中一個最為基本的常用器件，其應用是非常廣的，比如放大器就是晶體管的一個基礎應用。

在實際應用中，晶體管的結構非常重要，良好的晶體管結構是設計上第一保障，是所有常規參數的基礎要求。然而不管哪種晶體管的終端結構都在設計上十分復雜，如場板結構，就要求有多層臺階(多臺階是為了保持場板下的電場都是均勻分布)，同時對長度也有要求(場板長度太長或太短都會影響反壓)；分壓環結構，就要求對環寬、環間距(合理有效的環間距對反壓有決定性影響)等參數有限制要求，且反壓對環間距等設計尺寸十分敏感；結終端擴展結構，就要求對終端環注入劑量和環結深有明確的要求，一旦結深或注入劑量發生波動便會出現反壓降低或反壓漏電等嚴重影響；而VLD終端變摻雜終端結構又對變摻雜注入窗口尺寸、終端結與主結間距、注入劑量等參數有嚴格的限定要求，和結終端擴展終端一樣，這些設計或工藝數據發生變化都會出現反壓降低或反壓漏電等不利影響；以上幾大類終端都在設計尺寸或工藝參數上都有嚴格的限定范圍且波動范圍要求較小，但凡設計尺寸或工藝波動都會造成反壓參數的嚴重降低或反壓漏電成指數極增加而使產品失效。

因此，如何制造出合理設計尺寸的晶體管成為本領域技術人員亟需解決的技術問題。

發明內容

本發明的主要目的在于提出一種晶體管制造方法、設備、計算機可讀存儲介質與程序產品，旨在制造出合理結構的晶體管，以確保晶體管產品合格。

為實現上述目的，本發明提供一種晶體管制造方法，所述晶體管制造方法包括如下步驟：

在外延片上熱生長場氧化層后，在所述場氧化層確定承壓環注入摻雜窗口的第一位置，并基于所述第一位置，進行第一導電摻雜雜質的注入，以形成承壓環PN結；

在所述場氧化層確定源區注入窗口的第二位置和截止區注入窗口的第三位置，并基于所述第二位置和所述第三位置，進行第一導電摻雜雜質與第二導電摻雜雜質的注入，以形成源區PN結和截止區PN結，所述源區PN結與所述承壓環PN結部分重疊；

在所述場氧化層表面淀積摻雜氧化層PSG，并在所述摻雜氧化層PSG確定源區接觸孔的第四位置和截止區接觸孔的第五位置，并基于所述第四位置和所述第五位置，開設源區接觸孔和截止區接觸孔；

在所述摻雜氧化層PSG、所述源區接觸孔和所述截止區接觸孔淀積金屬層，并去除所述源區接觸孔對應的源極與所述截止區接觸孔對應的場板之間的無效金屬層。

優選地，所述在外延片上熱生長場氧化層后，在所述場氧化層確定承壓環注入摻雜窗口的第一位置，并基于所述第一位置，進行第一導電摻雜雜質的注入，以形成承壓環PN結的步驟包括：

在外延片熱生長場氧化層后，在所述場氧化層上涂布預設厚度的光刻膠，并基于第一預設掩模進行曝光、顯影，以確定承壓環注入摻雜窗口的第一位置；

基于所述第一位置，腐蝕承壓環注入摻雜窗口對應的氧化層，并去除所述光刻膠；