[發明專利]晶體管制造方法、設備、計算機可讀存儲介質與程序產品

在審

• 申請號: 202110723708.X
• 申請日: 2021-06-29
• 公開（公告）號: CN113451137A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 李青春
• 申請（專利權）人: 深圳銓力半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 深圳市漢瑞知識產權代理事務所(普通合伙) 44766
• 代理人: 李航

1.一種晶體管制造方法，其特征在于，所述晶體管制造方法包括如下步驟：

在外延片上熱生長場氧化層后，在所述場氧化層確定承壓環注入摻雜窗口的第一位置，并基于所述第一位置，進行第一導電摻雜雜質的注入，以形成承壓環PN結；

在所述場氧化層確定源區注入窗口的第二位置和截止區注入窗口的第三位置，并基于所述第二位置和所述第三位置，進行第一導電摻雜雜質與第二導電摻雜雜質的注入，以形成源區PN結和截止區PN結，所述源區PN結與所述承壓環PN結部分重疊；

在所述場氧化層表面淀積摻雜氧化層PSG，并在所述摻雜氧化層PSG確定源區接觸孔的第四位置和截止區接觸孔的第五位置，并基于所述第四位置和所述第五位置，開設源區接觸孔和截止區接觸孔；

在所述摻雜氧化層PSG、所述源區接觸孔和所述截止區接觸孔淀積金屬層，并去除所述源區接觸孔對應的源極與所述截止區接觸孔對應的場板之間的無效金屬層。

2.如權利要求1所述的晶體管制造方法，其特征在于，在所述外延片上熱生長場氧化層后，在所述場氧化層確定承壓環注入摻雜窗口的第一位置，并基于所述第一位置，進行第一導電摻雜雜質的注入，以形成承壓環PN結的步驟包括：

在外延片熱生長場氧化層后，在所述場氧化層上涂布預設厚度的光刻膠，并基于第一預設掩模進行曝光、顯影，以確定承壓環注入摻雜窗口的第一位置；

基于所述第一位置，腐蝕承壓環注入摻雜窗口對應的氧化層，并去除所述光刻膠；

在承壓環注入摻雜窗口注入第一導電摻雜雜質，以形成承壓環PN結。

3.如權利要求2所述的晶體管制造方法，其特征在于，所述在承壓環注入摻雜窗口注入第一導電摻雜雜質，以形成承壓環PN結的步驟包括：

在承壓環注入摻雜窗口注入第一導電摻雜雜質，并基于預設溫度和預設時間，對所述第一導電摻雜雜質進行高溫擴散；

在承壓環注入窗口上熱生長預設厚度的第一屏蔽氧化層，以形成承壓環PN結。

4.如權利要求1所述的晶體管制造方法，其特征在于，所述在所述場氧化層確定源區注入窗口的第二位置和截止區注入窗口的第三位置，并基于所述第二位置和所述第三位置，進行第一導電摻雜雜質與第二導電摻雜雜質的注入，以形成源區PN結和截止區PN結，所述源區PN結與所述承壓環PN結部分重疊的步驟包括：

在所述場氧化層上涂布預設厚度的光刻膠，并基于第二預設掩模進行曝光、顯影，以確定源區注入窗口的第二位置和截止區注入窗口的第三位置；

基于所述第二位置和所述第三位置，腐蝕源區注入窗口對應的氧化層以及截止區注入窗口對應的氧化層，并分別在源區注入窗口和截止區注入窗口熱生長預設厚度的第二屏蔽氧化層和第三屏蔽氧化層；

清除所述光刻膠，并分別在源區注入窗口和截止區注入窗口注入第一導電摻雜雜質與第二導電摻雜雜質，以形成源區PN結和截止區PN結。

5.如權利要求4所述的晶體管制造方法，其特征在于，所述分別在源區注入窗口和截止區注入窗口注入第一導電摻雜雜質與第二導電摻雜雜質，以形成源區PN結和截止區PN結的步驟包括：

分別在源區注入窗口和截止區注入窗口注入第二導電摻雜雜質，并基于預設溫度和預設時間，將所述第二導電摻雜雜質擴散到預設摻雜峰值深度；

分別在源區注入窗口和截止區注入窗口注入第一導電摻雜雜質，并基于預設溫度和預設時間，對所述第一導電摻雜雜質進行高溫擴散，以形成源區PN結和截止區PN結。

6.如權利要求1所述的晶體管制造方法，其特征在于，所述在所述場氧化層表面淀積摻雜氧化層PSG，并在所述摻雜氧化層PSG確定源區接觸孔的第四位置和截止區接觸孔的第五位置，并基于所述第四位置和所述第五位置，開設源區接觸孔和截止區接觸孔的步驟包括：

在所述場氧化層表面淀積摻雜氧化層PSG，并基于預設溫度和預設時間，以氧氣氛圍對所述摻雜氧化層PSG進行增密處理；

在所述摻雜氧化層PSG上涂布預設厚度的光刻膠，并基于第三預設掩模進行曝光、顯影，以確定源區接觸孔的第四位置和截止區接觸孔的第五位置；

基于所述第四位置和所述第五位置，分別腐蝕形成源區接觸孔和截止區接觸孔，并去除光刻膠。