[發(fā)明專利]一種防干擾屏蔽裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110720705.0 | 申請日: | 2021-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN113412046B | 公開(公告)日: | 2022-11-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 胡廣建 | 申請(專利權(quán))人: | 山東浪潮科學(xué)研究院有限公司 |
| 主分類號: | H05K9/00 | 分類號: | H05K9/00;H05K7/20 |
| 代理公司: | 北京君慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11716 | 代理人: | 董延麗 |
| 地址: | 250101 山東省濟*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 干擾 屏蔽 裝置 方法 | ||
1.一種防干擾屏蔽裝置,其特征在于,所述屏蔽裝置包括屏蔽罩本體、集成芯片、制冷片、處理芯片;
所述屏蔽罩本體為一面具有凹槽的結(jié)構(gòu),所述屏蔽罩本體倒扣在電路板上,將所述電路板上的所述集成芯片包裹在所述凹槽內(nèi);
所述集成芯片用于獲取所述屏蔽罩本體內(nèi)部的當(dāng)前溫度,并將所述當(dāng)前溫度發(fā)送至所述處理芯片;
所述制冷片設(shè)置于所述屏蔽罩本體的上方,用于對所述屏蔽罩本體進行散熱;
所述處理芯片用于根據(jù)所述當(dāng)前溫度,對所述制冷片的制冷功率進行調(diào)節(jié);
所述處理芯片用于根據(jù)所述當(dāng)前溫度,對所述制冷片的制冷功率進行調(diào)節(jié),具體包括:
通過模型數(shù)據(jù)庫獲取所述集成芯片對應(yīng)的發(fā)熱曲線模型;
若所述當(dāng)前溫度未超過預(yù)設(shè)閾值,則將所述當(dāng)前溫度輸入至所述發(fā)熱曲線模型,預(yù)測所述屏蔽罩本體內(nèi)部在第一預(yù)設(shè)時段內(nèi)的平均溫度;
若所述平均溫度超過所述預(yù)設(shè)閾值,則通過加大所述制冷片的制冷功率,降低所述當(dāng)前溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置,其特征在于,確定所述發(fā)熱曲線模型,具體包括:
確定所述集成芯片型號對應(yīng)的的初始發(fā)熱曲線模型;
獲取所述集成芯片在第二預(yù)設(shè)時段內(nèi)的歷史發(fā)熱數(shù)據(jù);
通過所述歷史發(fā)熱數(shù)據(jù)對所述初始發(fā)熱曲線模型進行更新,確定所述發(fā)熱曲線模型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置,其特征在于,所述制冷片的上方設(shè)置有散熱片,所述散熱片用于對所述制冷片進行散熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置,其特征在于,所述集成芯片與所述屏蔽罩本體之間設(shè)置有硅膠墊,所述硅膠墊附著于所述屏蔽罩本體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置,其特征在于,所述屏蔽罩本體為金屬屏蔽罩本體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置,其特征在于,所述處理芯片集成在所述電路板上,并單獨設(shè)置于所述電路板的對應(yīng)區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的屏蔽裝置,其特征在于,所述處理芯片集成在所述屏蔽罩本體包裹所述電路板之外的區(qū)域。
8.一種防干擾屏蔽方法,其特征在于,所述方法包括:
集成芯片獲取屏蔽罩本體內(nèi)部的當(dāng)前溫度,并將所述當(dāng)前溫度發(fā)送至處理芯片;所述屏蔽罩本體為一面具有凹槽的結(jié)構(gòu),所述屏蔽罩本體倒扣在電路板上,將所述電路板上的所述集成芯片包裹在所述凹槽內(nèi);
所述處理芯片根據(jù)所述當(dāng)前溫度,對制冷片的制冷功率進行調(diào)節(jié);所述制冷片設(shè)置于所述屏蔽罩本體的上方,用于對所述屏蔽罩本體進行散熱;
所述處理芯片用于根據(jù)所述當(dāng)前溫度,對所述制冷片的制冷功率進行調(diào)節(jié),具體包括:
通過模型數(shù)據(jù)庫獲取所述集成芯片對應(yīng)的發(fā)熱曲線模型;
若所述當(dāng)前溫度未超過預(yù)設(shè)閾值,則將所述當(dāng)前溫度輸入至所述發(fā)熱曲線模型,預(yù)測所述屏蔽罩本體對應(yīng)內(nèi)部在第一預(yù)設(shè)時段內(nèi)的平均溫度;
若所述平均溫度超過所述預(yù)設(shè)閾值,則通過加大所述制冷片的制冷功率,降低所述當(dāng)前溫度。
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