[發(fā)明專利]一種Micro OLED器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

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• 申請日: 2021-06-28
• 公開（公告）號: CN113437240A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹君;劉勝芳;趙錚濤
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107
• 代理人: 馬榮

1.一種Micro OLED器件結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于：所述的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)制備方法的制備步驟為：

S1.在硅片基底上制備CMOS驅(qū)動電路，形成CMOS基板(a)；

S2.在CMOS基板(a)上制備Anode層(b)；

S3.在Anode層(b)上通過黃光制程制備PDL層(c)，PDL層(c)分為三層，第一層為聚酰亞胺或無機(jī)層，其中無機(jī)層包括但不限于SiN、SiO、SiON，第一層厚度為50nm-500nm，第二層為Ag，第二層厚度為5nm-100nm，第三層為聚酰亞胺或無機(jī)層，其中無機(jī)層包括但不限于SiN、SiO、SiON，第三層厚度為50nm-500nm；

S4.蒸鍍制程制備OLED層(d)；

S5.制備TFE層(h)；

S6.完成后續(xù)OC1層(f)、CF層(j)、OC2層(g)制備黃光制程，及貼合、切割的模組制程。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于：蒸鍍制程制備的OLED層(d)包括有機(jī)發(fā)光層、cathode層、CPL膜層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于：制備TFE層(h)時，制備方法包括但不限于ALD、PECVD、IJP，TFE層(h)的膜層結(jié)構(gòu)為Al₂O₃或TiO₂或ATO或SiN或SiON或SiO或亞克力系有物或環(huán)氧樹脂系有機(jī)物膜層中的一種或幾種的組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)制備方法制備的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)包括CMOS基板(a)、陽極Anode(b)、PDL層(c)、OLED層(d)、OC1層(f)、OC2層(g)、TFE層(h)、CG層(i)、CF層(j)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的CMOS基板(a)一側(cè)設(shè)置陽極Anode(b)，陽極Anode(b)上設(shè)置PDL層(c)，PDL層(c)分為三層，第一層為聚酰亞胺或無機(jī)層，其中無機(jī)層包括但不限于SiN或SiO或SiON，第一層厚度為50nm-500nm，第二層為Ag，第二層厚度為5nm-100nm，第三層為聚酰亞胺或無機(jī)層，其中無機(jī)層包括但不限于SiN、SiO、SiON，第三層厚度為50nm-500nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的陽極Anode(b)上設(shè)置OLED層(d)，OLED層(d)上設(shè)置TFE層(h)，TFE層(h)表面依次設(shè)置OC1層(f)、CF層(j)、OC2層(g)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的OC2層(g)表面設(shè)置CG層(i)。