[發明專利]半絕緣性砷化鎵晶體基板

在審

• 申請號: 202110717986.4
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN113584593A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 河本真彌;木山誠;石川幸雄;橋尾克司
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C30B29/42
• 分類號: C30B29/42;G01R27/08;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/20
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 牛嵩林;王海川

本發明涉及一種半絕緣性砷化鎵晶體基板，所述半絕緣性砷化鎵晶體基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直徑，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距離分別為0mm、0.5Rmm和(R?17)mm的點為中心的三個測量區域中的每一個區域中具有5×10⁷Ω·cm以上的比電阻的平均值和0.50以下的變異系數，所述變異系數通過用比電阻的標準偏差除以比電阻的平均值而得到。

本申請是申請日為2017年9月21日、國際申請號為PCT/JP2017/034096、中國申請號為201780094136.5的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種半絕緣性砷化鎵晶體基板。

背景技術

諸如半絕緣性砷化鎵晶體基板的半絕緣性化合物半導體基板需要具有在微區域(ミクロ領域)中的平坦性(在下文中也被稱為微平坦性)得到改善的主表面以有助于使得直接改善半導體器件的性能的結構的微細化和復雜化。基板的主表面的微平坦性不僅受到在對基板進行拋光時所施加的條件的影響，而且還受到基板的物理性能的影響。具體地，為了改善基板的主表面的微平坦性，重要的是，基板的主表面具有在微區域中均勻分布(在下文中也被稱為微分布等)的比電阻。

從獲得具有其中比電阻在微區域中均勻分布(或微分布)并且因此具有高微平坦性的主表面的半絕緣性砷化鎵基板的觀點來看，T.Kawase等,“通過垂直晶舟法制造的6英寸半絕緣性GaAs基板的性能”,GaAs ManTech1999,1999年4月,第19-22頁(非專利文獻1)公開了一種半絕緣性砷化鎵基板，其中沿80mm的長度從基板的中心朝向基板的外周以100μm的間距設置的微區域中的比電阻的變異系數為0.073(需要說明的是，所述變異系數通過用微區域中的比電阻的標準偏差除以該區域中的比電阻的平均值而得到)。

現有技術文獻

非專利文獻

非專利文獻1：T.Kawase等,“通過垂直晶舟法制造的6英寸半絕緣性GaAs基板的性能”,GaAs ManTech1999,1999年4月,第19-22頁。

發明內容

根據本公開的一個方面，一種半絕緣性砷化鎵晶體基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直徑，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距離分別為0mm、0.5Rmm和(R-17)mm的點為中心的三個測量區域中的每一個區域中具有5×10⁷Ω·cm以上的比電阻的平均值和0.50以下的變異系數，所述變異系數通過用比電阻的標準偏差除以比電阻的平均值而得到。

附圖說明

圖1為示出根據一個實施方式的半絕緣性砷化鎵晶體基板的實例的示意性平面圖。

圖2為示出根據本實施方式的半絕緣性砷化鎵晶體基板的比電阻的測量方法的實例的示意性剖面圖。

圖3為示出用于制造根據本實施方式的半絕緣性砷化鎵晶體基板的裝置的實例的示意圖。

圖4為示出用于制造根據本實施方式的半絕緣性砷化鎵晶體基板的裝置的另一實例的示意圖。

圖5為示出用于制造根據本實施方式的半絕緣性砷化鎵晶體基板的裝置的又一實例的示意圖。

具體實施方式

[本公開要解決的問題]