[發明專利]半絕緣性砷化鎵晶體基板在審
| 申請號： | 202110717986.4 | 申請日： | 2017-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN113584593A | 公開（公告）日： | 2021-11-02 |
| 發明（設計）人： | 河本真彌;木山誠;石川幸雄;橋尾克司 | 申請（專利權）人： | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/42 | 分類號： | C30B29/42;G01R27/08;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 牛嵩林;王海川 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣性 砷化鎵 晶體 | ||
1.一種半絕緣性砷化鎵晶體基板，所述半絕緣性砷化鎵晶體基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直徑，
所述主表面的2Rmm的直徑為150mm，
所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距離分別為0mm、0.5Rmm和(R-17)mm的點為中心的三個測量區域中的每一個區域中具有5×107Ω·cm以上的比電阻的平均值和0.50以下的變異系數，所述變異系數通過用所述比電阻的標準偏差除以所述比電阻的平均值而得到，其中
所述比電阻是通過三端子保護法來測量的，所述三端子保護法包括：
通過光刻法在要進行比電阻測量的所述主表面上以使得從所述三個測量區域中的每一個區域的中心開始沿[010]方向在-5mm至+5mm的范圍內以100μm的間距設置101個具有70μm直徑的圓的方式形成圖案；
通過氣相沉積在所述半絕緣性砷化鎵晶體基板的所述主表面上和作為與所述主表面相對的表面的后主表面上依次設置具有300nm的厚度的Au層、具有40nm的厚度的Ni層和具有80nm的厚度的AuGe層并且將其剝離；
通過在475℃下將所述半絕緣性砷化鎵晶體基板加熱6分鐘而在所述主表面上形成合金化的測量電極E1和在所述后主表面上形成合金化的測量電極E2；
將所述測量電極E1和所述測量電極E2進行布線；
在0V至10V的范圍內以1V的電壓施加幅度從所述后主表面施加電壓；
測量圖案化的所述測量電極E1中的電流；
由電流-電壓曲線的斜率計算出電阻值；并且
通過由所述電阻值除以所述半絕緣性砷化鎵晶體基板的厚度且隨后乘以圖案化的所述測量電極E1的面積而得到所述比電阻的測量值；并且其中
對在[010]方向上在10mm的長度上以100μm的間距圖案化的每一個所述測量電極E1進行所述比電阻的測量，
由在所述101個點處測量的所述比電阻的值計算所述比電阻的平均值和所述比電阻的標準偏差，并且
通過將所獲得的所述比電阻的所述標準偏差除以所獲得的所述比電阻的所述平均值而計算出所述比電阻的變異系數。
2.根據權利要求1所述的半絕緣性砷化鎵晶體基板，其中所述比電阻的所述變異系數為0.10以下。
3.根據權利要求1所述的半絕緣性砷化鎵晶體基板，其中所述主表面在所述三個測量區域中的每一個區域中具有9.5×103cm-2以下的位錯密度。
5.根據權利要求1所述的半絕緣性砷化鎵晶體基板，其中所述主表面在所述三個測量區域中的每一個區域中具有7.5×107Ω·cm以上的比電阻的平均值。
6.根據權利要求1所述的半絕緣性砷化鎵晶體基板，其中所述主表面在所述三個測量區域中的每一個區域中具有9×107Ω·cm以上的比電阻的平均值。
7.根據權利要求1所述的半絕緣性砷化鎵晶體基板，其中所述主表面在所述三個測量區域中的每一個區域中具有1.0×108Ω·cm以上的比電阻的平均值。
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