[發明專利]半導體工藝設備及其氣體輸送裝置有效
| 申請號: | 202110713403.0 | 申請日: | 2021-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN113441032B | 公開(公告)日: | 2022-09-16 |
| 發明(設計)人: | 朱磊;紀紅;魏景峰 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | B01F25/42 | 分類號: | B01F25/42;B01F23/10;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 工藝設備 及其 氣體 輸送 裝置 | ||
1.一種半導體工藝設備中的氣體輸送裝置,用于向所述半導體工藝設備的工藝腔室中輸送工藝氣體,其特征在于,所述氣體輸送裝置包括混氣件和分氣件,所述分氣件設置在所述工藝腔室的蓋板上的安裝通孔中,所述分氣件與所述安裝通孔配合形成分氣通道,所述混氣件設置在所述蓋板上,其中設置有混氣腔,所述分氣通道連通所述混氣腔和所述工藝腔室;
所述混氣腔內安裝有多個阻擋件,且多個所述阻擋件形成至少兩組沿所述混氣腔的軸向分布的氣體阻擋層;任一所述氣體阻擋層均包括至少兩個圍繞所述軸向間隔設置的所述阻擋件;對于任意相鄰的兩組所述氣體阻擋層,其中一個所述氣體阻擋層的至少一個所述阻擋件在所述軸向的投影覆蓋另一所述氣體阻擋層中相鄰兩個所述阻擋件之間的間隔區域。
2.根據權利要求1所述的氣體輸送裝置,其特征在于,對于任意相鄰的兩組所述氣體阻擋層,其中一個所述氣體阻擋層中任一所述阻擋件在所述軸向的投影均覆蓋另一所述氣體阻擋層中對應的相鄰兩個所述阻擋件之間的間隔區域。
3.根據權利要求1所述的氣體輸送裝置,其特征在于,所述混氣腔內還設置有中置柱,且所述中置柱的軸線與所述混氣腔的軸線重合,任一所述阻擋件均連接于所述中置柱和所述混氣腔的內壁之間。
4.根據權利要求1所述的氣體輸送裝置,其特征在于,所述混氣腔為圓柱狀結構,任一所述阻擋件均為扇形結構件,且任一所述氣體阻擋層中的多個所述阻擋件均勻分布。
5.根據權利要求1所述的氣體輸送裝置,其特征在于,所述阻擋件具有沿所述軸向相背設置的第一表面和第二表面,所述第一表面與所述混氣腔軸線之間的夾角小于90°;
和/或所述第二表面與所述混氣腔軸線之間的夾角小于90°。
6.根據權利要求1所述的氣體輸送裝置,其特征在于,所述混氣件的側壁上開設有多個進氣口,多個所述進氣口圍繞所述混氣腔的軸向均勻且間隔設置;
多個所述進氣口上均連接有進氣管,多個所述進氣管的軸向均與所述混氣腔的周向相切。
7.根據權利要求1所述的氣體輸送裝置,其特征在于,所述分氣件包括錐形分流盤和分流環,所述錐形分流盤的外周壁和所述安裝通孔的側壁配合形成所述分氣通道,所述分氣通道一端與所述混氣腔連通,另一端通過所述分流環與所述工藝腔室連通;
所述分流環設置在所述錐形分流盤的底部,其中設置有容氣槽,所述分流環的內側壁和外側壁上均沿周向設置有多個均勻分布的分氣孔。
8.根據權利要求7所述的氣體輸送裝置,其特征在于,所述外側壁上分氣孔的數量與所述內側壁上分氣孔的數量的比值為預設值。
9.根據權利要求7所述的氣體輸送裝置,其特征在于,所述外側壁上分氣孔的截面積沿分流環的徑向自內向外逐漸減小,所述內側壁上分氣孔的截面積沿徑向自外向內逐漸減小。
10.一種半導體工藝設備,其特征在于,包括工藝腔室和如權利要求1-9任一項所述的氣體輸送裝置。
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