[發(fā)明專利]溫度控制方法、裝置、可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及移動(dòng)終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110713114.0
• 申請(qǐng)日: 2021-06-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113433984B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝紹華;任偉聰;鄭凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南昌黑鯊科技有限公司
• 主分類號(hào): G05D23/20
• 分類號(hào): G05D23/20
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 何世磊

1.一種移動(dòng)終端的溫度控制方法，其特征在于，所述移動(dòng)終端按照握持位置的不同劃分為多個(gè)區(qū)域，所述移動(dòng)終端的發(fā)熱器件分布在各個(gè)所述區(qū)域中，且各個(gè)所述區(qū)域上分別設(shè)置有溫度傳感器，所述溫度控制方法包括：

獲取各個(gè)所述區(qū)域的溫度傳感器采集的溫度信息，并根據(jù)所述溫度信息從多個(gè)所述區(qū)域中確定用戶手部持握的當(dāng)前區(qū)域；

根據(jù)所述當(dāng)前區(qū)域的溫度傳感器采集的溫度信息確定所述當(dāng)前區(qū)域的溫度；

判斷所述當(dāng)前區(qū)域的溫度是否大于閾值溫度；

若是，限制所述當(dāng)前區(qū)域中的發(fā)熱器件的性能，以降低所述當(dāng)前區(qū)域中器件的發(fā)熱；

其中，所述移動(dòng)終端劃分有三個(gè)所述區(qū)域，分別為第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域分別位于所述移動(dòng)終端背面的上部、中部和下部，所述第一區(qū)域上設(shè)置有處理器SOC和第一充電芯片，所述第二區(qū)域上設(shè)置有射頻放大電路和顯示控制芯片，所述第三區(qū)域上設(shè)置有揚(yáng)聲器PA芯片和第二充電芯片，

當(dāng)確定用戶手部持握的當(dāng)前區(qū)域?yàn)樗龅谝粎^(qū)域和所述第三區(qū)域時(shí)，所述限制所述當(dāng)前區(qū)域中的發(fā)熱器件的性能的步驟包括：

降低所述第一充電芯片和所述第二充電芯片的工作電流，降低所述處理器SOC的工作頻率，以及降低所述揚(yáng)聲器PA芯片的功率；

所述降低所述第一充電芯片和所述第二充電芯片的工作電流，降低所述處理器SOC的工作頻率，以及降低所述揚(yáng)聲器PA芯片的功率的步驟包括：

判斷所述第一區(qū)域的溫度是否大于第三預(yù)設(shè)溫度，以及判斷所述第三區(qū)域的溫度是否大于第四預(yù)設(shè)溫度，所述第三預(yù)設(shè)溫度和所述第四預(yù)設(shè)溫度均大于所述閾值溫度；

當(dāng)所述第一區(qū)域的溫度大于所述第三預(yù)設(shè)溫度，且所述第三區(qū)域的溫度小于或等于所述第四預(yù)設(shè)溫度時(shí)，關(guān)閉所述第一充電芯片，將所述處理器SOC的工作頻率降低至第三閾值頻率，以及將所述第二充電芯片的工作電流降低至第三閾值電流，并將所述揚(yáng)聲器PA芯片的功率降低至第三閾值功率；

當(dāng)所述第一區(qū)域的溫度小于或等于所述第三預(yù)設(shè)溫度，且所述第三區(qū)域的溫度大于所述第四預(yù)設(shè)溫度時(shí)，將所述第一充電芯片的工作電流降低至第四閾值電流，將所述處理器SOC的工作頻率降低至第四閾值頻率，以及關(guān)閉所述第二充電芯片，并將所述揚(yáng)聲器PA芯片的功率降低至第四閾值功率；

當(dāng)所述第一區(qū)域的溫度大于所述第三預(yù)設(shè)溫度，且所述第三區(qū)域的溫度大于所述第四預(yù)設(shè)溫度時(shí)，將所述第一充電芯片的工作電流降低至第五閾值電流，將所述處理器SOC的工作頻率降低至第五閾值頻率，以及將所述第二充電芯片的工作電流降低至第五閾值電流，將所述揚(yáng)聲器PA芯片的功率降低至第五閾值功率，所述第五閾值電流小于所述三閾值電流且小于所述第四閾值電流，所述第五閾值頻率小于所述第三閾值頻率，且小于所述第四閾值頻率，所述第五閾值功率小于所述第三閾值功率且小于所述第四閾值功率。

2.如權(quán)利要求1所述的溫度控制方法，其特征在于，

當(dāng)用戶手部持握的當(dāng)前區(qū)域?yàn)樗龅谝粎^(qū)域時(shí)，所述限制所述當(dāng)前區(qū)域中的發(fā)熱器件的性能的步驟包括：

降低所述第一充電芯片的工作電流，以及降低所述處理器SOC的工作頻率；

當(dāng)用戶手部持握的當(dāng)前區(qū)域?yàn)樗龅诙^(qū)域時(shí)，所述限制所述當(dāng)前區(qū)域中的發(fā)熱器件的性能的步驟包括：

降低所述射頻放大電路的射頻發(fā)射功率和降低所述顯示控制芯片的背光亮度；

當(dāng)用戶手部持握的當(dāng)前區(qū)域?yàn)樗龅谌齾^(qū)域時(shí)，所述限制所述當(dāng)前區(qū)域中的發(fā)熱器件的性能的步驟包括：

降低所述第二充電芯片的工作電流，以及降低所述揚(yáng)聲器PA芯片的功率。