[發明專利]驅動集成電路基板的散熱層的制造方法與系統有效
| 申請號: | 202110712417.0 | 申請日: | 2021-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN113421831B | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發明(設計)人: | 劉陵剛 | 申請(專利權)人: | 山東漢旗科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 277000 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 驅動 集成 路基 散熱 制造 方法 系統 | ||
本發明屬于集成電路領域,公開有一種驅動集成電路基板的散熱層的制造方法,其將具有空氣腔的液態的基材散布在一模具片上;升溫凝固,升溫凝固時溫度360℃,在升溫凝固的過程中,空氣腔逐漸聚集至液態的基材的外側然后膨脹破開,在模具片上形成外側具有下陷部分的基材層;在基材層上配置芯連導電層;配置芯連導電層的走樣圖,在基材層上形成具有具有下陷部分的芯連導電層;升溫凝固前,配置各向異性導電層在基材層上以形成散熱層,所述的各向異性導電層在芯連導電層對面,配置各向異性導電層在基材層上以形成散熱層包括:首先在基材層上覆涂各向異性導電粒子,按照芯片的預設位置動態改變各向異性導電粒子在不同區域的厚度。
技術領域
本發明屬于集成電路領域,具體涉及一種驅動集成電路基板的散熱層的制造方法與系統。
背景技術
在相關的現有技術中專利文獻CN200810215993.9 公開了一種驅動集成電路基板的散熱層結構,該結構包含有可撓性電路板與芯片,該可撓性電路板具有可撓性基膜與導電層,該可撓性基膜具有聚酰亞胺層與各向異性導電層,且該導電層與該各向異性導電層被該聚酰亞胺層分開。該導電層設置于該可撓性基膜上,且該芯片經由連接物連接于該導電層之上;類似的技術中的驅動集成電路基板的散熱層的散熱效果一般。
發明內容
為了克服現有的技術存在的不足, 本發明提供一種驅動集成電路基板的散熱層的制造方法與系統。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:
驅動集成電路基板的散熱層的制造方法,包括以下步驟:
配置具有空氣腔的液態的基材;將具有空氣腔的液態的基材散布在一模具片上;升溫凝固,升溫凝固時溫度360℃,在升溫凝固的過程中,空氣腔逐漸聚集至液態的基材的外側然后膨脹破開,在模具片上形成外側具有下陷部分的基材層;在基材層上配置芯連導電層;配置芯連導電層的走樣圖,在基材層上形成具有具有下陷部分的芯連導電層;升溫凝固前,配置各向異性導電層在基材層上以形成散熱層,所述的各向異性導電層在芯連導電層對面,配置各向異性導電層在基材層上以形成散熱層包括:首先在基材層上覆涂各向異性導電粒子,按照芯片的預設位置動態改變各向異性導電粒子在不同區域的厚度,通過磁場對各向異性導電粒子進行磁化并且形成在不同區域具有不同厚度的各向異性導電層。
進一步,所述的按照芯片的預設位置動態改變各向異性導電粒子在不同區域的厚度具體是,通過一個動態移動的空氣針沖擊基材層上覆涂的各向異性導電粒子從而動態改變各向異性導電粒子在不同區域的厚度,沖擊過程中動態移動的空氣針在不同的位置具有不同的空氣速度。
進一步,所述液態的基材的粘度為5000-8000CPS,所述液態的基材采用液態的聚酰亞胺。
進一步,所述配置具有空氣腔的液態的基材的步驟,包括:準備液態的基材;向液態的基材中通入空氣,形成具有不同體積空氣腔的液態的基材;然后,將具有空氣腔的液態的基材通過一網間隙為2.5微米的過濾板。
驅動集成電路基板的散熱層的制造系統,其制造流程設置在“基材層上形成具有具有下陷部分的芯連導電層”流程之后,且設置在悉知的“通過磁場對各向異性導電粒子進行磁化”流程之前,其至少包括空氣針,空氣針用于沖擊基材層上覆涂的各向異性導電粒子。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東漢旗科技有限公司,未經山東漢旗科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110712417.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





