[發明專利]驅動集成電路基板的散熱層的制造方法與系統有效
| 申請號: | 202110712417.0 | 申請日: | 2021-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN113421831B | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發明(設計)人: | 劉陵剛 | 申請(專利權)人: | 山東漢旗科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 277000 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 驅動 集成 路基 散熱 制造 方法 系統 | ||
1.驅動集成電路基板的散熱層的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
配置具有空氣腔的液態的基材;將具有空氣腔的液態的基材散布在一模具片上;升溫凝固,升溫凝固時溫度360℃,在升溫凝固的過程中,空氣腔逐漸聚集至液態的基材的外側然后膨脹破開,在模具片上形成外側具有下陷部分的基材層;在基材層上配置芯連導電層;配置芯連導電層的走樣圖,在基材層上形成具有具有下陷部分的芯連導電層;升溫凝固前,配置各向異性導電層在基材層上以形成散熱層,所述的各向異性導電層在芯連導電層對面,配置各向異性導電層在基材層上以形成散熱層包括:首先在基材層上覆涂各向異性導電粒子,按照芯片的預設位置動態改變各向異性導電粒子在不同區域的厚度,通過磁場對各向異性導電粒子進行磁化并且形成在不同區域具有不同厚度的各向異性導電層;在“基材層上形成具有下陷部分的芯連導電層”流程之后,且在“通過磁場對各向異性導電粒子進行磁化”流程之前,按照芯片的預設位置動態改變各向異性導電粒子在不同區域的厚度;所述的按照芯片的預設位置動態改變各向異性導電粒子在不同區域的厚度具體是,通過一個動態移動的空氣針沖擊基材層上覆涂的各向異性導電粒子從而動態改變各向異性導電粒子在不同區域的厚度,沖擊過程中動態移動的空氣針在不同的位置具有不同的空氣速度。
2.如權利要求1所述的驅動集成電路基板的散熱層的制造方法,其特征在于,所述液態的基材的粘度為5000-8000CPS,所述液態的基材采用液態的聚酰亞胺。
3.如權利要求1所述的驅動集成電路基板的散熱層的制造方法,其特征在于,所述配置具有空氣腔的液態的基材的步驟,包括:準備液態的基材;向液態的基材中通入空氣,形成具有不同體積空氣腔的液態的基材;然后,將具有空氣腔的液態的基材通過一網間隙為2.5微米的過濾板。
4.用于如權利要求1-3任意一項所述的驅動集成電路基板的散熱層的制造方法的制造系統,其特征在于,具體包括對應配置的兩個固定架,兩個固定架之間固定配置有對應的兩個滑動臂,兩個滑動臂之間固定配置有防塵罩,滑動臂開有滑槽,其中一個固定架上固定配置水平伸縮件,共有兩個水平伸縮件,每個水平伸縮件的伸縮桿固定連接有一個軸承,兩個軸承之間設置驅動軸,其中一個軸承的一側固定配置有動力驅動機組,動力驅動機組的輸出軸固定連接有位于兩個軸承之間的驅動軸,驅動軸位于滑槽內,驅動軸具體采用螺紋桿并螺紋連接有水平活動件,水平活動件的下部配置有垂直伸縮件,垂直伸縮件的伸縮桿轉動配置有角度調整件,角度調整件的底部轉動連接有旋轉連接件,旋轉連接件的底部配置有空氣針,在固定架的底部一側固定配置有沖擊空氣系統,并且一個固定架的外側固定配置有協調控制電路,沖擊空氣系統的通過具有彈性的空氣管與空氣針連通,空氣針用于沖擊基材層上覆涂的各向異性導電粒子,協調控制電路的控制端與動力驅動機組的電路端、垂直伸縮件的電路端、水平伸縮件的電路端和沖擊空氣系統的電路端電性連接。
5.如權利要求4所述的制造系統,其特征在于,所述動力驅動機組可以采用微型電機及變速箱,微型電機的驅動控制電路作為動力驅動機組的電路端,垂直伸縮件和水平伸縮件可以采用電控的液壓缸,液壓缸的限位開關可以作為垂直伸縮件的電路端和水平伸縮件的電路端,沖擊空氣系統采用高速電控泵和空氣管道,其中的高速電控泵對應電機的驅動控制電路作為沖擊空氣系統的電路端,協調控制電路采用一個或多個單片機,協調控制電路的單片機分別與動力驅動機組對應的驅動控制電路、沖擊空氣系統對應的驅動控制電路、垂直伸縮件對應的限位開關、水平伸縮件對應的限位開關電性連接,協調控制電路的單片機控制水平伸縮件、垂直伸縮件、沖擊空氣系統、動力驅動機組共同協調完成“動態移動的空氣針沖擊基材層上覆涂的各向異性導電粒子從而動態改變各向異性導電粒子在不同區域的厚度,沖擊過程中動態移動的空氣針在不同的位置具有不同的空氣速度”。
6.如權利要求5所述的制造系統,其特征在于,所述的“動態移動的空氣針沖擊基材層上覆涂的各向異性導電粒子從而動態改變各向異性導電粒子在不同區域的厚度,沖擊過程中動態移動的空氣針在不同的位置具有不同的空氣速度”同時由多個空氣針完成。
7.如權利要求5所述的制造系統,其特征在于,所述的協調控制電路還電性連接一個上位機,所述的上位機用于指令多個協調控制電路的控制:協調控制電路數量共計n個,空氣針數量共計n個,或者在某一個或多個協調控制電路的時序調用資源足夠時所述的協調控制電路數量小于n個;空氣針被配置按照預設的指令在沖擊基材層上覆涂的各向異性導電粒子從而動態改變各向異性導電粒子在不同區域的厚度,第一個空氣針所沖擊的各向異性導電粒子對基材層整體散熱功率的增量為d1,第一個空氣針所沖擊的各向異性導電粒子對“第一個空氣針所沖擊的”區域的基材層散熱功率的增量為ds1,相應的第n個空氣針所沖擊的各向異性導電粒子對基材層整體散熱功率的增量為dn,第一個空氣針所沖擊的各向異性導電粒子對“第一個空氣針所沖擊的”區域的基材層散熱功率的增量為dsn,則需要:d1+d2+……dn≥p1,且ds1+ds2+……dsn≥ps,其中的p1是基材層整體散熱功率的理想需求增加量;其中的ps是某一個空氣針所沖擊的區域的基材層散熱功率的理想需求增加量;上位機的控制使得基材層整體散熱功率或部分區域的散熱功率均能提高。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





