[發(fā)明專利]一種自催化生長制備高導(dǎo)熱石墨烯膜的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110709019.3 | 申請(qǐng)日： | 2021-06-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113353923A | 公開（公告）日： | 2021-09-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李永鋒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 太原理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C01B32/184 | 分類號(hào)： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 太原晉科知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 楊斌華 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 催化 生長 制備 導(dǎo)熱 石墨 方法 | ||
1.一種自催化生長制備高導(dǎo)熱石墨烯膜的方法，其特征在于：包括如下步驟：
第一步，采用攪拌的方式，將氧化石墨烯分散至單層氧化石墨烯；
第二步，將通過涂布工藝，將單層氧化石墨烯制成薄膜；
第三步，第二步得到的單層氧化石墨烯薄膜置于炭化爐中，升溫至250℃，得到脫掉部分氧原子，并殘留缺陷結(jié)構(gòu)的薄膜；
第四步，繼續(xù)升溫，升溫至1000℃時(shí)，加入碳源進(jìn)行碳化處理；
第五步，石墨烯缺陷在碳源產(chǎn)生的碳等離子氣氛中修復(fù)，生長成大片的石墨烯；
第六步，將生長的大片的石墨烯置于石墨化爐內(nèi)，通過緩慢加熱至2000℃，得到高導(dǎo)熱石墨烯膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自催化生長制備高導(dǎo)熱石墨烯膜的方法，其特征在于：第一步中所述攪拌速度為1000-10000轉(zhuǎn)/min，攪拌時(shí)間為1h-10h。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自催化生長制備高導(dǎo)熱石墨烯膜的方法，其特征在于：第二步中所述薄膜的厚度為20-200微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自催化生長制備高導(dǎo)熱石墨烯膜的方法，其特征在于：第四步中所述碳源包括氣體碳源或固體碳源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種自催化生長制備高導(dǎo)熱石墨烯膜的方法，其特征在于：所述氣體碳源包括甲烷或乙炔，加入量為10ml/min-100ml/min。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種自催化生長制備高導(dǎo)熱石墨烯膜的方法，其特征在于：所述固體碳源包括固體碳源包括蔗糖、聚乙烯醇或聚丙烯腈，加入量為石墨烯膜重量的0.5%-10%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自催化生長制備高導(dǎo)熱石墨烯膜的方法，其特征在于：第四步中所述碳化時(shí)間為1-5h。
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