[發(fā)明專利]一種電能表存儲(chǔ)器壽命測(cè)試方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110707758.9
• 申請(qǐng)日: 2021-06-24
• 公開（公告）號(hào): CN113421605B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙聞;張捷;錢斌;招景明;肖勇;李嘉杰;羅鴻軒;宋鵬;李倩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東電網(wǎng)有限責(zé)任公司計(jì)量中心;南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G11C29/08
• 分類號(hào): G11C29/08;G11C29/12
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 彭東威

本發(fā)明公開了一種電能表存儲(chǔ)器壽命測(cè)試方法及裝置，用于解決如何檢測(cè)電能表存儲(chǔ)器的壽命的技術(shù)問題。其中，方法包括：對(duì)存儲(chǔ)器執(zhí)行電特性測(cè)試，判斷存儲(chǔ)器與探針卡是否接觸良好；若是，對(duì)存儲(chǔ)器執(zhí)行初始化測(cè)試，確定存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試數(shù)據(jù)；對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行循環(huán)擦寫，得到擦寫測(cè)試數(shù)據(jù)；在循環(huán)擦寫過程中執(zhí)行功能校驗(yàn)測(cè)試、擦寫速度測(cè)試和編程窗口測(cè)試，獲取循環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)；根據(jù)數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試數(shù)據(jù)、擦寫測(cè)試數(shù)據(jù)和循環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)，確定存儲(chǔ)器的壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電能表存儲(chǔ)器壽命測(cè)試方法及裝置。

背景技術(shù)

電能表的存儲(chǔ)器(EEPROM，NOR-FLASH)一般都有壽命限制，EEPROM是100萬次擦寫壽命，NOR-FLASH是10萬次擦寫壽命。電能表生產(chǎn)完后到公司或者用戶處，用戶無法評(píng)估存儲(chǔ)器的使用是否能夠滿足整個(gè)生命周期的要求，隨著對(duì)電能表使用壽命的要求，廠家設(shè)計(jì)的電表存儲(chǔ)器使用壽命現(xiàn)在能不能滿足實(shí)際需求，需要進(jìn)行評(píng)測(cè)。

對(duì)于FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試，可以有以下幾種方式：

嵌入式微處理器訪問：用嵌入式微處理器實(shí)現(xiàn)對(duì)FLASH存儲(chǔ)器的測(cè)試，微處理器主要承擔(dān)FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試矢量的生成以及地址的控制的任務(wù)。具有不需要額外電路，不會(huì)對(duì)芯片產(chǎn)生破壞的優(yōu)點(diǎn)，缺點(diǎn)是這種測(cè)試方法要求FLASH存儲(chǔ)器內(nèi)部必須有嵌入式微處理器。

內(nèi)建自測(cè)試：在FLASH存儲(chǔ)器芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)測(cè)試功能，通過在芯片設(shè)計(jì)期間安置數(shù)據(jù)生成模塊、地址生成模塊和算法序列模塊來完成。具有自動(dòng)工具生成和實(shí)際工作速度測(cè)試的優(yōu)點(diǎn)，缺點(diǎn)是需要FLASH存儲(chǔ)器內(nèi)部的開銷，會(huì)影響FLASH存儲(chǔ)器性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種電能表存儲(chǔ)器壽命測(cè)試方法及裝置，用于解決如何檢測(cè)電能表存儲(chǔ)器的壽命的技術(shù)問題。

本發(fā)明提供了一種電能表存儲(chǔ)器壽命測(cè)試方法，所述存儲(chǔ)器與預(yù)設(shè)測(cè)試機(jī)的探針卡接觸；所述方法包括：

對(duì)所述存儲(chǔ)器執(zhí)行電特性測(cè)試，判斷所述存儲(chǔ)器與所述探針卡是否接觸良好；

若是，對(duì)所述存儲(chǔ)器執(zhí)行初始化測(cè)試，確定所述存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試數(shù)據(jù)；

對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行循環(huán)擦寫，得到擦寫測(cè)試數(shù)據(jù)；

在循環(huán)擦寫過程中執(zhí)行功能校驗(yàn)測(cè)試、擦寫速度測(cè)試和編程窗口測(cè)試，獲取循環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)；

根據(jù)所述數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試數(shù)據(jù)、所述擦寫測(cè)試數(shù)據(jù)和所述循環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)，確定所述存儲(chǔ)器的壽命。

可選地，所述存儲(chǔ)器具有多個(gè)存儲(chǔ)單元；所述對(duì)所述存儲(chǔ)器執(zhí)行初始化測(cè)試，確定所述存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試數(shù)據(jù)的步驟，包括：

按照多個(gè)預(yù)設(shè)外接讀電壓分別對(duì)所述存儲(chǔ)器的每個(gè)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取確認(rèn)，確定每個(gè)所述存儲(chǔ)單元在不同的外接讀電壓下的數(shù)據(jù)狀態(tài)；

將數(shù)據(jù)狀態(tài)發(fā)生反轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)單元確定為失效存儲(chǔ)單元，并記錄失效讀電壓；

統(tǒng)計(jì)所述失效存儲(chǔ)單元和對(duì)應(yīng)的失效讀電壓，得到所述存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試數(shù)據(jù)。

可選地，所述對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行循環(huán)擦寫，得到擦寫測(cè)試數(shù)據(jù)的步驟，包括：

在所述存儲(chǔ)器中寫入預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的第一數(shù)據(jù)；

若寫入不成功，則判定寫入錯(cuò)誤，并返回在所述存儲(chǔ)器中寫入預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的第一數(shù)據(jù)的步驟；

若寫入成功，則在所述存儲(chǔ)器中讀取預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的第二數(shù)據(jù)；

若讀取不成功，則判斷讀取錯(cuò)誤，并返回在所述存儲(chǔ)器中寫入預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的第一數(shù)據(jù)的步驟；

若讀取成功，則判定所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)是否一致；