[發明專利]晶體管結構及其相關制造方法

在審

• 申請號: 202110706370.7
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113838754A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 盧超群
• 申請（專利權）人: 鈺創科技股份有限公司;發明創新暨合作實驗室有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種晶體管的制造方法，其中所述晶體管包含一柵極結構以及一第一導電區，其特征在于包含：

在一基底上形成一主動區；

在所述主動區上方形成所述柵極結構和一偽屏蔽柵極結構；

形成一第一隔離區以取代所述偽屏蔽柵極結構；

在所述主動區上方形成一自對準柱；以及

移除所述自對準柱，并且在所述柵極結構和所述第一隔離區之間形成所述第一導電區。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于在移除所述自對準柱之前，所述制造方法另包含：

在所述第一隔離區上方形成一第二隔離區，其中所述自對準柱位于所述柵極結構和所述第二隔離區之間。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于在移除所述自對準柱之后，所述制造方法另包含：

在所述柵極結構和所述第一隔離區之間形成一間隔層以定義一接觸孔；其中所述接觸孔位于所述第一導電區上方。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于所述接觸孔的長度小于一最小特征長度。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述基底是一硅基底，以及所述自對準柱是通過選擇性外延生長所形成的一本質硅柱。

6.一種晶體管的制造方法，其中所述晶體管包含一柵極結構以及一第一導電區，其特征在于包含：

在一基底上形成一主動區；

在所述主動區上形成所述柵極結構；以及

形成一自對準柱，其中所述自對準柱是用以在所述第一導電區上方分配一接觸孔。

7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于另包含：

在形成所述自對準柱之前，在所述主動區上形成一隔離區。

8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于另包含：

移除所述自對準柱，其中所述自對準柱是形成在所述柵極結構和所述隔離區之間；以及

在所述柵極結構和所述隔離區之間形成一間隔層以定義一接觸孔；

其中所述接觸孔位于所述第一導電區上方。

9.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于所述接觸孔的長度小于一最小特征長度。

10.一種晶體管的制造方法，其中所述晶體管包含一柵極結構以及一第一導電區，其特征在于包含：

在一基底上形成一主動區；

在所述主動區上方形成所述柵極結構；

在所述柵極結構旁邊形成所述第一導電區；以及

在所述第一導電區上方定義一接觸孔，其中定義所述接觸孔是與一光刻工藝無關。

11.如權利要求10所述的制造方法，其特征在于所述第一導電區是形成在所述柵極結構和一隔離區之間，且所述隔離區在所述主動區上方向上延伸。

12.如權利要求11所述的制造方法，其特征在于所述接觸孔是通過形成一間隔層來定義，且所述間隔層覆蓋所述柵極結構的一側壁以及所述隔離區的一側壁。

13.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于所述接觸孔的長度小于一最小特征長度。

14.一種晶體管的制造方法，其中所述晶體管包含一柵極結構以及一第一導電區，其特征在于包含：

實施一第一光刻工藝，其中所述第一光刻工藝是用以定義所述柵極結構的寬度和一主動區的長度；

實施一第二光刻工藝，其中所述第二光刻工藝是用以定義所述柵極結構在所述主動區內的的長度；

其中所述第二光刻工藝另用以定義所述第一導電區的長度。

15.如權利要求14所述的制造方法，其特征在于通過所述第二光刻工藝定義的所述第一導電區的長度等于一最小特征長度。