[發(fā)明專利]蒸鍍坩堝及蒸鍍裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110704369.0 | 申請日: | 2021-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN113388814B | 公開(公告)日: | 2023-09-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李民國;畢德鋒;羅書成;李成勝 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢天馬微電子有限公司;武漢天馬微電子有限公司上海分公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444 | 代理人: | 張育英 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 坩堝 裝置 | ||
1.一種蒸鍍坩堝,其特征在于,包括:
坩堝主體,包括用于形成容納腔的坩堝底壁和坩堝側(cè)壁;
遮擋組件,包括至少兩個擋板,至少兩個所述擋板可拆卸地置于所述容納腔內(nèi),所述擋板包括阻擋片,所述阻擋片具有通孔,在垂直于所述坩堝底壁所在平面的方向上,至少兩個所述擋板的所述阻擋片之間具有間隔,且至少兩個所述擋板中的至少部分所述通孔互不交疊;
坩堝上蓋,蓋合于所述坩堝主體上,所述坩堝上蓋具有坩堝口;
所述遮擋組件還包括用于承載所述擋板的套筒,所述套筒置于所述容納腔內(nèi);
所述套筒包括懸掛件、套筒側(cè)壁和托盤,其中,所述懸掛件和所述托盤分別固定于所述套筒側(cè)壁的兩側(cè),所述懸掛件懸掛在所述坩堝側(cè)壁上,至少兩個所述擋板承載在所述托盤上,并且,所述托盤具有開口;
所述擋板還包括用于支撐所述阻擋片的支撐座;
所述支撐座可拆卸地安裝在所述阻擋片上;
當(dāng)至少兩個所述擋板放置在所述套筒的所述托盤上時,最底部的所述擋板的支撐座置于所述托盤上,置于上面的所述擋板的支撐座放置在下面緊鄰的所述擋板的阻擋片的邊緣;
至少兩個所述擋板包括第一擋板,所述第一擋板為與所述坩堝底壁相距最近的擋板;
所述第一擋板包括第一通孔和第二通孔,所述第一通孔的孔徑小于所述第二通孔的孔徑;
所述第一擋板具有中間區(qū)域和圍繞所述中間區(qū)域的外圍區(qū)域,所述第一通孔和第二通孔位于所述外圍區(qū)域,且在所述外圍區(qū)域內(nèi)呈環(huán)形交替排布;
所述套筒側(cè)壁為可伸縮的側(cè)壁;
至少兩個所述擋板還包括:
第二擋板,位于所述第一擋板遠(yuǎn)離所述坩堝底壁一側(cè),所述第二擋板包括第三通孔和圍繞所述第三通孔的多個第四通孔,所述第四通孔大于或等于所述第二通孔的孔徑,所述第三通孔的孔徑大于或等于所述第二通孔的孔徑;
第三擋板,位于所述第二擋板遠(yuǎn)離所述坩堝底壁一側(cè),所述第三擋板包括呈環(huán)形交替排布的第五通孔和第六通孔、以及呈環(huán)形排布的第七通孔,所述第五通孔和所述第七通孔的孔徑分別小于所述第六通孔的孔徑;
在垂直于所述坩堝底壁所在平面的方向上,所述第七通孔的投影環(huán)繞所述第三通孔的投影,所述第四通孔的投影環(huán)繞所述第七通孔的投影,所述第五通孔和所述第六通孔的投影環(huán)繞所述第四通孔的投影,所述第一通孔和所述第二通孔的投影環(huán)繞所述第四通孔的投影。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝,其特征在于,
所述套筒和/或至少兩個所述擋板采用鈦材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝,其特征在于,
在垂直于所述坩堝底壁所在平面的方向上,任意相鄰兩個所述擋板中的所述通孔互不交疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝,其特征在于,
至少兩個不同擋板中的所述通孔的形狀和/或所述通孔的尺寸不同;
和/或,同一所述擋板中的所述通孔的形狀和/或所述通孔的尺寸不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝,其特征在于,
所述第一擋板的通孔開口率大于其他所述擋板的通孔開口率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝,其特征在于,
所述第一通孔的孔徑為R1,所述第二通孔的孔徑為R2,R1<L,R2≥L,L為所述容納腔內(nèi)放置的蒸鍍材料的顆粒尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝,其特征在于,
所述第三擋板為與所述坩堝底壁相距最遠(yuǎn)的擋板;
在垂直于所述坩堝底壁所在平面的方向上,所述第三擋板的所述通孔的投影與所述坩堝口的投影不交疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝,其特征在于,
所述第五通孔的孔徑為R5,所述第六通孔的孔徑為R6,所述第七通孔的孔徑為R7,R5<L,R6≥L,R7<L,L為所述容納腔內(nèi)放置的蒸鍍材料的顆粒尺寸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍坩堝,其特征在于,
所述第二擋板的所述通孔的孔徑大于或等于所述第一擋板、所述第三擋板的所述通孔的孔徑。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢天馬微電子有限公司;武漢天馬微電子有限公司上海分公司,未經(jīng)武漢天馬微電子有限公司;武漢天馬微電子有限公司上海分公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110704369.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





