[發(fā)明專利]晶元搜索方法、裝置、電子設(shè)備及計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110700883.7
• 申請日: 2021-06-23
• 公開（公告）號: CN113426714B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周贊
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳新益昌科技股份有限公司
• 主分類號: B07C5/36
• 分類號: B07C5/36;B07C5/342;G06T7/00;G06T7/70
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 梁立耀

本申請?zhí)峁┮环N晶元搜索方法、裝置、電子設(shè)備及計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，用于提高晶元搜索效率。該方法包括：獲取晶圓的晶圓圖及基準(zhǔn)點(diǎn)的第一位置信息，晶圓圖包含每個晶元的索引參數(shù)及位置參數(shù)，第一位置信息為基準(zhǔn)點(diǎn)在擴(kuò)充藍(lán)膜前的位置信息；根據(jù)基準(zhǔn)點(diǎn)的第一位置信息、索引參數(shù)和位置參數(shù)，生成晶元分布地圖，晶元分布地圖包括每個晶元相對于基準(zhǔn)點(diǎn)的位置分布信息；根據(jù)第一位置信息和第二位置信息，確定擴(kuò)充藍(lán)膜前后的第一基準(zhǔn)點(diǎn)距離變化量，第二位置信息為基準(zhǔn)點(diǎn)在擴(kuò)充藍(lán)膜后的位置信息；根據(jù)第一基準(zhǔn)點(diǎn)距離變化量對晶元分布地圖進(jìn)行修正，得到修正后的晶元分布地圖；根據(jù)修正后晶元分布地圖和執(zhí)行設(shè)備的當(dāng)前位置，確定最優(yōu)路徑和待吸取晶元。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶元搜索方法、裝置、電子設(shè)備及計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)

目前，搜索晶元的方式為全局掃描法，具體通過檢測設(shè)備對晶圓表面進(jìn)行掃描并檢測，然后通過分選設(shè)備對晶元進(jìn)行分選。但該全局掃描方式獲取到晶元離散分布情況后，需在局部視野下實時搜索晶元，這會導(dǎo)致搜索晶元效率低下，無法滿足實際生產(chǎn)需求。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例提供了晶元搜索方法、裝置、電子設(shè)備及計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，可以解決晶元搜索效率低下的問題。

第一方面，本申請實施例提供了一種晶元搜索方法，包括：

獲取晶圓的晶圓圖及基準(zhǔn)點(diǎn)的第一位置信息，所述晶圓圖包含每個晶元的索引參數(shù)及位置參數(shù)，所述晶圓包括多個所述晶元，所述第一位置信息為所述基準(zhǔn)點(diǎn)在擴(kuò)充藍(lán)膜前的位置信息；

根據(jù)所述基準(zhǔn)點(diǎn)的第一位置信息、所述索引參數(shù)和所述位置參數(shù)，生成晶元分布地圖，所述晶元分布地圖包括每個所述晶元相對于所述基準(zhǔn)點(diǎn)的位置分布信息；

根據(jù)所述第一位置信息和第二位置信息，確定出擴(kuò)充藍(lán)膜前后的第一基準(zhǔn)點(diǎn)距離變化量，所述第二位置信息為所述基準(zhǔn)點(diǎn)在擴(kuò)充藍(lán)膜后的位置信息；

根據(jù)所述第一基準(zhǔn)點(diǎn)距離變化量對所述晶元分布地圖進(jìn)行修正，得到修正后的晶元分布地圖；

根據(jù)所述修正后的晶元分布地圖和執(zhí)行設(shè)備的當(dāng)前位置，確定最優(yōu)路徑和待吸取晶元，所述最優(yōu)路徑為所述執(zhí)行設(shè)備從所述當(dāng)前位置到所述待吸取晶元的位置的最短路徑，所述執(zhí)行設(shè)備用于吸取晶元。

進(jìn)一步的，所述晶圓圖還包含測試參數(shù)；所述方法還包括：

根據(jù)所述測試參數(shù)剔除不符合預(yù)設(shè)條件的晶元，得到良品晶元；

根據(jù)所述基準(zhǔn)點(diǎn)的第一位置信息、所述索引參數(shù)和所述位置參數(shù)，生成晶元分布地圖，包括：

根據(jù)所述第一位置信息、所述良品晶元對應(yīng)的所述索引參數(shù)和所述位置參數(shù)，生成所述晶元分布地圖。

進(jìn)一步的，根據(jù)所述第一基準(zhǔn)點(diǎn)距離變化量對所述晶元分布地圖進(jìn)行修正，得到修正后的晶元分布地圖，包括：

根據(jù)所述第一基準(zhǔn)點(diǎn)距離變化量，確定相鄰所述晶元之間的距離變化量，得到晶元距離變化量；

根據(jù)所述晶元距離變化量，修正所述晶元分布地圖。

進(jìn)一步的，確定最優(yōu)路徑和待吸取晶元之后，還包括：

根據(jù)所述第二位置信息及第三位置信息，確定出吸取晶元前后的第二基準(zhǔn)點(diǎn)距離變化量，所述第三位置信息為所述基準(zhǔn)點(diǎn)在吸取晶元后的位置信息；

根據(jù)所述第二基準(zhǔn)點(diǎn)距離變化量，對所述晶元分布地圖進(jìn)行修正，得到修正后的晶元分布地圖。

進(jìn)一步的，確定最優(yōu)路徑和待吸取晶元之后，還包括：

獲取在固晶點(diǎn)處所述執(zhí)行設(shè)備的第一傳感器狀態(tài)及固晶點(diǎn)圖像；

根據(jù)所述第一傳感器狀態(tài)及所述固晶點(diǎn)圖像，確定已吸取晶元的生產(chǎn)狀態(tài)；