[發(fā)明專(zhuān)利]一種芯片設(shè)計(jì)方法及裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110700147.1
• 申請(qǐng)日: 2021-06-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113343627A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 南海卿;張曉強(qiáng);張冠群
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 海光信息技術(shù)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F30/367
• 分類(lèi)號(hào): G06F30/367;G06F30/392;G06F115/02;G06F119/04
• 代理公司: 北京市廣友專(zhuān)利事務(wù)所有限責(zé)任公司 11237
• 代理人: 張仲波

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)一種芯片設(shè)計(jì)方法及裝置，涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，能夠有效提升芯片老化后的性能。所述方法包括：獲取芯片中待定單元的單元約束條件，所述單元約束條件包括所述待定單元的出廠性能約束、出廠能耗約束、老化性能約束、老化能耗約束；根據(jù)所述單元約束條件，在所述待定單元對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中選擇目標(biāo)單元作為所述待定單元，其中，所述目標(biāo)單元的出廠性能參數(shù)、出廠能耗參數(shù)、老化性能參數(shù)、老化能耗參數(shù)都滿(mǎn)足對(duì)應(yīng)的所述單元約束條件，且所述目標(biāo)單元為所述標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)所有滿(mǎn)足所述單元約束條件的標(biāo)準(zhǔn)單元中，所述老化能耗參數(shù)最低的標(biāo)準(zhǔn)單元。本發(fā)明適用于芯片設(shè)計(jì)中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片設(shè)計(jì)方法及裝置。

背景技術(shù)

很多電子設(shè)備(例如高性能服務(wù)器)經(jīng)常處于長(zhǎng)時(shí)間的高速運(yùn)行狀態(tài)，設(shè)備中的芯片，例如CPU(Central Processing Unit，中央處理器)芯片，在長(zhǎng)年運(yùn)行中會(huì)受到各種器件老齡化現(xiàn)象的影響，導(dǎo)致器件電流生成能力減弱，進(jìn)而影響芯片的正常工作，導(dǎo)致芯片和設(shè)備的性能越來(lái)越差。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片設(shè)計(jì)方法及裝置、芯片、電子設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)、服務(wù)器，能夠有效提升芯片老化后的性能。

第一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種芯片設(shè)計(jì)方法，所述方法包括：獲取芯片中待定單元的單元約束條件，所述單元約束條件包括所述待定單元的出廠性能約束、出廠能耗約束、老化性能約束、老化能耗約束；根據(jù)所述單元約束條件，在所述待定單元對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中選擇目標(biāo)單元作為所述待定單元，其中，所述目標(biāo)單元的出廠性能參數(shù)、出廠能耗參數(shù)、老化性能參數(shù)、老化能耗參數(shù)都滿(mǎn)足對(duì)應(yīng)的所述單元約束條件，且所述目標(biāo)單元為所述標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)所有滿(mǎn)足所述單元約束條件的標(biāo)準(zhǔn)單元中，所述老化能耗參數(shù)最低的標(biāo)準(zhǔn)單元。

可選的，所述獲取芯片中待定單元的單元約束條件包括：根據(jù)所述芯片的總體約束條件和所述芯片的電路結(jié)構(gòu)，確定所述待定單元的所述單元約束條件。

可選的，所述根據(jù)所述單元約束條件，在所述待定單元對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中選擇目標(biāo)單元作為所述待定單元包括：遍歷所述待定單元對(duì)應(yīng)的所述標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中的所有標(biāo)準(zhǔn)單元，得到所述出廠性能參數(shù)、所述出廠能耗參數(shù)、所述老化性能參數(shù)、所述老化能耗參數(shù)分別都對(duì)應(yīng)的所述單元約束條件的初選單元；從所述初選單元中選擇所述老化能耗參數(shù)最低的初選單元作為所述待定單元。

可選的，所述從所述初選單元中選擇所述老化能耗參數(shù)最低的初選單元作為所述待定單元包括：在所述老化能耗參數(shù)最低的初選單元為至少兩個(gè)的情況下，選擇性能衰減最慢或能耗衰減最快的初選單元作為所述待定單元。

可選的，所述根據(jù)所述單元約束條件，在所述待定單元對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中選擇目標(biāo)單元作為所述待定單元之前，所述方法還包括：對(duì)所述標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中的各所述標(biāo)準(zhǔn)單元進(jìn)行仿真，得到各所述標(biāo)準(zhǔn)單元的所述出廠性能參數(shù)、所述出廠能耗參數(shù)、所述老化性能參數(shù)、所述老化能耗參數(shù)。

第二方面，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種芯片設(shè)計(jì)裝置，所述裝置包括：獲取模塊，用于獲取芯片中待定單元的單元約束條件，所述單元約束條件包括所述待定單元的出廠性能約束、出廠能耗約束、老化性能約束、老化能耗約束；選擇模塊，用于根據(jù)所述單元約束條件，在所述待定單元對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中選擇目標(biāo)單元作為所述待定單元，其中，所述目標(biāo)單元的出廠性能參數(shù)、出廠能耗參數(shù)、老化性能參數(shù)、老化能耗參數(shù)都滿(mǎn)足對(duì)應(yīng)的所述單元約束條件，且所述目標(biāo)單元為所述標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)所有滿(mǎn)足所述單元約束條件的標(biāo)準(zhǔn)單元中，所述老化能耗參數(shù)最低的標(biāo)準(zhǔn)單元。

可選的，所述獲取模塊，具體用于根據(jù)所述芯片的總體約束條件和所述芯片的電路結(jié)構(gòu)，確定所述待定單元的所述單元約束條件。