[發明專利]半導體結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202110697564.5
• 申請日: 2021-06-23
• 公開（公告）號: CN113437066A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 詹益旺;林剛毅;劉安淇;顏逸飛;童宇誠
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 陳敏;吳昊

1.一種半導體結構，其特征在于，包括:

一襯底；

一第一接觸結構設置在該襯底上，該第一接觸結構包括一T形剖面形狀，并且包括與該襯底接觸的一第一部分以及位于該第一部分上的一第二部分；以及

兩第一柵極結構設置在該襯底上并且位于該第一接觸結構的兩側，其中該第一接觸結構的一頂面與該兩第一柵極結構的頂面齊平。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一接觸結構的該第一部分與該兩第一柵極結構的最底部直接接觸。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該兩第一柵極結構分別包括:

一下柵極部分；

一上柵極部分位于該下柵極部分上；以及

一硬掩模部分位于該上柵極部分上，其中該第一接觸結構的該第一部分直接接觸該下柵極部分的一側壁以及該上柵極部分的一側壁。

4.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，該第一接觸結構的該第一部分與該下柵極部分的最底部直接接觸。

5.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，該第一接觸結構的該第二部分直接接觸該兩第一柵極結構的該上柵極部分的頂面。

6.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，另包括:

兩內間隙壁設置在該襯底上并且分別夾設在該第一接觸結構的該第一部分與該兩第一柵極結構之間，其中該兩內間隙壁的頂面低于該兩第一柵極結構的該上柵極部分的頂面。

7.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，另包括:

兩外間隙壁，分別設置在該兩第一柵極結構相對于該兩內間隙壁的一側，其中該兩第一柵極結構的該下柵極部分和該上柵極部分被該兩外間隙壁的其中一者完全覆蓋，且該兩第一柵極結構的該硬掩模部分分別被該兩外間隙壁的其中一者至少部分覆蓋。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一接觸結構具有一體成型的結構。

9.一種半導體結構，其特征在于，包括

一襯底；

一第一接觸結構設置在該襯底上并且包括一T形剖面形狀；

兩第一柵極結構設置在該襯底上并且位于該第一接觸結構的兩側，其中該兩第一柵極結構分別包括一電極部分以及位于該電極部上的一硬掩模部分；以及

一外間隙壁設置在該兩第一柵極結構的相對于該第一接觸結構的外側，其中該第一接觸結構直接接觸該兩第一柵極結構的該電極部分。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，該第一接觸結構直接接觸該兩第一柵極結構的該電極部分的頂面，且該第一接觸結構的一頂面與該兩第一柵極結構的該硬掩模部分的頂面齊平。

11.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，另包括一內間隙壁設置在該兩第一柵極結構鄰近該第一接觸結構的內側，其中該內間隙壁的一頂面低于該兩第一柵極結構的該電極部分的頂面。

12.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括:

于一襯底上形成兩第一柵極結構；

于該兩第一柵極結構的側壁上形成間隙壁；

于該襯底上形成一電介質層覆蓋該兩第一柵極結構和該間隙壁；

進行一接觸洞蝕刻工藝，蝕刻該電介質層以及部分位于該兩第一柵極結構之間的該間隙壁，而于該兩第一柵極結構之間形成一第一接觸洞暴露出部分該襯底，其中該第一接觸洞包括一T形剖面形狀。

13.如權利要求12所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，該兩第一柵極結構分別包括:

一下柵極部分；

一上柵極部分位于該下柵極部分上；以及

一硬掩模部分位于該上柵極部分上，其中該硬掩模部分于該接觸洞蝕刻工藝期間被部分移除而暴露出該上柵極部分的一頂面。