[發(fā)明專(zhuān)利]激光器及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110696315.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113437637A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃雪琴 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中科皓玥(東莞)半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01S5/024 | 分類(lèi)號(hào): | H01S5/024;H01S5/42 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 付興奇 |
| 地址: | 523710 廣東省東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光器 及其 制備 方法 | ||
本申請(qǐng)涉及一種激光器及其制備方法,屬于半導(dǎo)體激光器件技術(shù)領(lǐng)域。該激光器包括絕緣基板、金屬柱、線路層和激光芯片。絕緣基板上設(shè)置有貫穿絕緣基板的導(dǎo)熱通孔。金屬柱設(shè)置于導(dǎo)熱通孔內(nèi),且金屬柱的導(dǎo)熱效率高于絕緣基板的導(dǎo)熱效率。線路層設(shè)置于絕緣基板的表面,且線路層覆蓋金屬柱,線路層上設(shè)置有置晶區(qū)。激光芯片設(shè)置于置晶區(qū)并與線路層電性連接。在絕緣基板內(nèi)設(shè)置金屬柱,且金屬柱的導(dǎo)熱效率高于絕緣基板的導(dǎo)熱效率,可以使激光芯片的散熱效果更好(相較于絕緣基板進(jìn)行散熱,添加金屬柱以后散熱效果更好),以便高功率VCSEL器件的導(dǎo)熱需求。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體激光器件技術(shù)領(lǐng)域,且特別涉及一種激光器及其制備方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體激光器件以其波長(zhǎng)選擇范圍廣、體積小、效率高等優(yōu)點(diǎn)成為最重要的半導(dǎo)體器件之一,特別是對(duì)于大功率半導(dǎo)體器件在激光存儲(chǔ)、激光顯示、激光打印、材料加工、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。
在激光器的結(jié)構(gòu)方面,垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)的發(fā)展前景和實(shí)用價(jià)值均較高。VCSEL器件的閾值電流及輸出功率對(duì)溫度非常敏感,器件工作時(shí)的散熱,所以,一般選用導(dǎo)熱系數(shù)較高的氮化鋁材料作為VCSEL器件的基板。
發(fā)明內(nèi)容
目前氮化鋁基板導(dǎo)熱系數(shù)在170~200W/m.K之間,無(wú)法滿足高功率VCSEL器件的導(dǎo)熱要求。
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本申請(qǐng)實(shí)施例的目的包括提供一種激光器及其制備方法,以改善激光器的散熱效果不好的問(wèn)題。
第一方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種激光器,包括絕緣基板、金屬柱、線路層和激光芯片。絕緣基板上設(shè)置有貫穿絕緣基板的導(dǎo)熱通孔。金屬柱設(shè)置于導(dǎo)熱通孔內(nèi),且金屬柱的導(dǎo)熱效率高于絕緣基板的導(dǎo)熱效率。線路層設(shè)置于絕緣基板的表面,且線路層覆蓋金屬柱,線路層上設(shè)置有置晶區(qū)。激光芯片設(shè)置于置晶區(qū)并與線路層電性連接。
在絕緣基板內(nèi)設(shè)置金屬柱,且金屬柱的導(dǎo)熱效率高于絕緣基板的導(dǎo)熱效率,可以使激光芯片的散熱效果更好(相較于絕緣基板進(jìn)行散熱,添加金屬柱以后散熱效果更好),以便高功率VCSEL器件的導(dǎo)熱需求。
在本申請(qǐng)的部分實(shí)施例中,導(dǎo)熱通孔包括多個(gè),金屬柱包括多個(gè),每個(gè)導(dǎo)熱通孔內(nèi)均設(shè)置有金屬柱。通過(guò)多個(gè)金屬柱的設(shè)置,可以進(jìn)一步提高激光芯片的散熱效果。
在本申請(qǐng)的部分實(shí)施例中,多個(gè)導(dǎo)熱通孔呈陣列分布于絕緣基板,最外層導(dǎo)熱通孔與激光芯片的邊緣對(duì)應(yīng)。可以使激光芯片的各部分均可以均勻的散熱。
在本申請(qǐng)的部分實(shí)施例中,絕緣基板的背離線路層的表面設(shè)置有導(dǎo)熱層,且導(dǎo)熱層覆蓋并連接金屬柱。激光芯片在工作的時(shí)候產(chǎn)生大量的熱量,大部分熱量可以通過(guò)金屬柱進(jìn)行傳導(dǎo),再通過(guò)導(dǎo)熱層進(jìn)行散熱,使激光芯片的散熱效果更好。
在本申請(qǐng)的部分實(shí)施例中,金屬柱為金柱、銀柱或銅柱;絕緣基板為陶瓷基板、玻璃基板或玻纖板。該基板本身散熱效果較佳,與材料為金、銀或銅的金屬柱配合以后,可以使激光芯片的散熱效果更好。
在本申請(qǐng)的部分實(shí)施例中,絕緣基板上還設(shè)置有貫穿絕緣基板的第一電極通孔和第二電極通孔,第一電極通孔內(nèi)設(shè)置有用于連接第一電極的第一電極柱,第二電極通孔內(nèi)設(shè)置有用于連接第二電極的第二電極柱。
線路層包括第一線路層和第二線路層,第一線路層設(shè)置于絕緣基板的表面且覆蓋第一電極柱并與第一電極柱導(dǎo)通,第二線路層設(shè)置于絕緣基板的表面且覆蓋第二電極柱并與第二電極柱導(dǎo)通。
第二線路層上設(shè)置有置晶區(qū),置晶區(qū)覆蓋金屬柱,置晶區(qū)上的激光芯片與第二線路層電性連接;第一線路層通過(guò)導(dǎo)電線與激光芯片電性連接。
第一電極與第一電極柱接通,第一電極柱與第一線路層導(dǎo)通,第一線路層通過(guò)導(dǎo)電線與激光芯片導(dǎo)通,激光芯片與第二線路層導(dǎo)通,第二線路層與第二電極柱導(dǎo)通,第二電極柱與第二電極接通,從而使激光芯片上的電流形成回路,以便激光芯片工作。
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