[發明專利]半導體存儲器裝置

在審

• 申請號: 202110695655.5
• 申請日: 2021-06-22
• 公開（公告）號: CN114497055A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 金炫哲;洪載昊;金容錫;金一權;徐亨源;柳成原;李炅奐
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 田野;尹淑梅

提供了一種半導體存儲器裝置。所述半導體存儲器裝置包括：第一導線，在垂直于基底的頂表面的第一方向上堆疊；第二導線，在第一方向上延伸，并且與第一導線相交；以及存儲器單元，分別設置在第一導線與第二導線之間的多個相交點處。存儲器單元中的每個存儲器單元包括平行于基底的頂表面的半導體圖案、圍繞半導體圖案的溝道區的第一柵電極和第二柵電極以及位于半導體圖案與第一柵電極和第二柵電極中的每個之間的電荷存儲圖案，半導體圖案包括具有第一導電類型的源區、具有第二導電類型的漏區以及在源區與漏區之間的溝道區。

本專利申請要求于2020年10月26日在韓國知識產權局提交的第10-2020-0138902號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開內容通過引用被完全包含于此。

技術領域

發明構思的實施例涉及一種半導體存儲器裝置，并且更具體地，涉及一種能夠在易失性存儲器模式和非易失性存儲器模式下操作的半導體存儲器裝置。

背景技術

半導體存儲器裝置可以包括非易失性存儲器裝置(例如，閃存裝置)和易失性存儲器裝置(例如，動態隨機存取存儲器(DRAM)裝置)。

非易失性存儲器裝置即使當其電源被中斷時也可以保持存儲在存儲器單元中的數據，但是執行將數據寫入存儲器單元中或從存儲器單元擦除數據的操作的時間會長。在非易失性存儲器裝置中寫入或者擦除數據的次數會被限制。

易失性存儲器裝置在其電源被中斷時會丟失存儲在存儲器單元中的數據。然而，執行在易失性存儲器裝置中重寫數據的操作的時間可以短，并且與非易失性存儲器裝置相比，在易失性存儲器裝置中重寫數據的次數可以更多。

因此，已經研究了具有非易失性存儲器特性和易失性存儲器特性兩者的半導體存儲器裝置。

發明內容

發明構思的實施例可以提供一種能夠在易失性存儲器模式和非易失性存儲器模式下操作并且能夠改善集成密度的半導體存儲器裝置。

根據本發明構思的實施例，一種半導體存儲器裝置包括：多條第一導線，在垂直于基底的頂表面的第一方向上堆疊，并且在平行于基底的頂表面的第二方向上縱向延伸；多條第二導線，在第一方向上縱向延伸，并且在平行于基底的頂表面且不同于第二方向的第三方向上與多條第一導線間隔開；以及多個存儲器單元，均設置在多條第一導線與多條第二導線之間的多個相交點中的對應的相交點處。每個存儲器單元包括平行于基底的頂表面延伸的半導體圖案、圍繞半導體圖案的溝道區的第一柵電極和第二柵電極以及在半導體圖案與第一柵電極和第二柵電極中的每個之間的電荷存儲圖案，半導體圖案包括具有第一導電類型的源區、具有不同于第一導電類型的第二導電類型的漏區以及在源區與漏區之間的溝道區。

根據本發明構思的實施例，一種半導體存儲器裝置包括：多個半導體圖案，在垂直于基底的頂表面的第一方向上堆疊，每個半導體圖案包括具有第一導電類型的源區、具有不同于第一導電類型的第二導電類型的漏區以及在源區與漏區之間的溝道區；一對第一字線和第二字線，圍繞多個半導體圖案中的每個半導體圖案的溝道區，并且在第一方向上縱向延伸；多個電荷存儲圖案，均圍繞多個半導體圖案中的對應的半導體圖案的溝道區，并且設置在對應的半導體圖案與一對第一字線和第二字線中的每條之間；多條第一導線，在第一方向上堆疊，均連接到多個半導體圖案中的對應的半導體圖案的漏區；以及第二導線，在第一方向上縱向延伸，并且公共地連接到多個半導體圖案的多個源區。