[發明專利]半導體存儲器裝置

在審

• 申請號: 202110695655.5
• 申請日: 2021-06-22
• 公開（公告）號: CN114497055A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 金炫哲;洪載昊;金容錫;金一權;徐亨源;柳成原;李炅奐
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 田野;尹淑梅

1.一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：

多條第一導線，在垂直于基底的頂表面的第一方向上堆疊，并且在平行于基底的頂表面的第二方向上縱向延伸；

多條第二導線，在第一方向上縱向延伸，并且在平行于基底的頂表面且不同于第二方向的第三方向上與所述多條第一導線間隔開；以及

多個存儲器單元，均設置在所述多條第一導線與所述多條第二導線之間的多個相交點中的對應的相交點處，

其中，所述多個存儲器單元中的每個存儲器單元包括：

平行于基底的頂表面延伸的半導體圖案，半導體圖案包括具有第一導電類型的源區、具有不同于第一導電類型的第二導電類型的漏區以及在源區與漏區之間的溝道區；

第一柵電極和第二柵電極，圍繞半導體圖案的溝道區；以及

電荷存儲圖案，在半導體圖案與第一柵電極和第二柵電極中的每個之間。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，第一柵電極和第二柵電極中的每個在第一方向上縱向延伸，并且

其中，第一柵電極和第二柵電極在第三方向上彼此間隔開。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，電荷存儲圖案包括：

電荷捕獲層，位于半導體圖案與第一柵電極和第二柵電極中的每個之間；

阻擋絕緣層，位于電荷捕獲層與第一柵電極和第二柵電極中的每個之間；以及

隧道絕緣層，位于電荷捕獲層與半導體圖案之間。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，半導體圖案在第三方向上縱向延伸，

其中，第一柵電極和第二柵電極圍繞所述多個存儲器單元的多個半導體圖案中的每個半導體圖案，并且

其中，所述多個存儲器單元在第一方向和第二方向上彼此相鄰。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

多個第一電極，均設置在所述多個存儲器單元的多個半導體圖案中的對應的半導體圖案與所述多條第一導線中的對應的第一導線之間；以及

多個第二電極，均設置在所述多個半導體圖案中的對應的半導體圖案與所述多條第二導線中的對應的第二導線之間。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，半導體圖案在第三方向上縱向延伸，并且

其中，源區在第三方向上的長度不同于漏區在第三方向上的長度。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，半導體圖案的溝道區是本征半導體。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

多個層間絕緣層，均設置在所述多條第一導線之中的在第一方向上彼此相鄰的對應成對的兩條第一導線之間以及存儲器單元的多個半導體圖案之中的在第一方向上彼此相鄰的對應成對的兩個半導體圖案之間。

9.一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：

多個半導體圖案，在垂直于基底的頂表面的第一方向上堆疊，其中，所述多個半導體圖案中的每個半導體圖案包括具有第一導電類型的源區、具有不同于第一導電類型的第二導電類型的漏區以及在源區與漏區之間的溝道區；

一對第一字線和第二字線，圍繞所述多個半導體圖案中的每個半導體圖案的溝道區，并且在第一方向上縱向延伸；

多個電荷存儲圖案，均圍繞所述多個半導體圖案中的對應的半導體圖案的溝道區，并且設置在所述對應的半導體圖案與所述一對第一字線和第二字線中的每條之間；

多條第一導線，在第一方向上堆疊，均連接到所述多個半導體圖案中的對應的半導體圖案的漏區；以及

第二導線，在第一方向上縱向延伸，并且公共地連接到所述多個半導體圖案的多個源區。