[發明專利]量測方法、量測設備、器件制造方法和計算機程序產品

在審

• 申請號: 202110694822.4
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN113376975A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 理查德·金塔尼利亞;A·J·登鮑埃夫
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G01N21/956;G01N21/88;H05G2/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

本申請提供了一種用于測量通過光刻過程在襯底上制造的多個結構的屬性的混合量測設備、測量通過光刻過程制造的多個結構的屬性的方法、器件制造方法和計算機程序產品。該混合量測設備包括：第一照射系統，用于利用第一輻射照射第一結構；第一檢測系統，用于檢測包括由第一結構反射的第一輻射的至少部分的第一光譜；第二照射系統，用于利用第二輻射照射第二結構；第二檢測系統，用于檢測包括由第二結構反射的第二輻射的至少部分的第二光譜；處理系統，用于使用所檢測到的第一光譜和所檢測到的第二光譜來確定光刻過程的所關注參數，第二檢測系統和第一檢測系統在同一波段內以不同方式操作或在不同波段中操作。

本申請是申請日為2016年12月7日、申請號為201680074852.2(國 際申請號為PCT/EP2016/080058)、發明名稱為“量測方法、量測設備和 器件制造方法”的中國專利申請的分案申請。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2015年12月23日遞交的歐洲專利申請15202273.7的 優先權，該歐洲專利申請的全部內容以引用的方式并入本文。

技術領域

本發明涉及用于例如可用在通過光刻技術來制造器件中的量測的方 法和設備，且涉及使用光刻技術來制造器件的方法。將測量臨界尺寸(線 寬)的方法描述成這種量測的特定應用。也對測量諸如重疊等不對稱度相 關參數的方法加以描述。

背景技術

光刻設備是將所需圖案施加到襯底上(通常是襯底的目標部分上) 的機器。例如，可以將光刻設備用于制造集成電路(IC)。在這種情況下， 可以將可替代地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成要在集成電 路的單層上形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉印到襯底(例如硅晶片) 上的目標部分(例如包括管芯的一部分、一個或多個管芯)上。

在光刻過程中，需要頻繁地對所創建的結構進行測量，例如用于過 程控制和驗證。用于進行這些測量的各種工具是公知的，包括常常用以測 量臨界尺寸(CD)的掃描電子顯微鏡(SEM)。其他專用工具用來測量與 不對稱度相關的參數。這些參數之一是重疊(器件中的兩個層的對準準確 度)。最近，已開發供光刻領域中使用的各種形式的散射計。這些器件將 輻射束引導至目標上并且測量散射輻射的一個或更多個屬性(例如，在單 一反射角情況下根據波長而變化的強度；在一個或更多個波長情況下根據 反射角而變化的強度；或根據反射角而變化的偏振)，以獲得可供確定目 標的所關注屬性的“光譜”。可通過各種技術來執行所關注屬性的確定： 例如，通過諸如嚴格耦合波分析或有限元方法等迭代方法來進行的目標結 構的重構，庫搜索，和主成份分析。與SEM技術相比，可在大比例的或 甚至所有的產品單元上以高得多的生產率使用光學散射計。