[發(fā)明專利]量測(cè)方法、量測(cè)設(shè)備、器件制造方法和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110694822.4
• 申請(qǐng)日: 2016-12-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113376975A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 理查德·金塔尼利亞;A·J·登鮑埃夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G01N21/956;G01N21/88;H05G2/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張啟程

1.一種用于測(cè)量通過(guò)光刻過(guò)程在襯底上制造的多個(gè)結(jié)構(gòu)的屬性的混合量測(cè)設(shè)備，所述混合量測(cè)設(shè)備包括：

(a)第一照射系統(tǒng)，用于利用第一輻射照射第一結(jié)構(gòu)，所述第一輻射包括在1納米至100納米的范圍內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)波長(zhǎng)；

(b)第一檢測(cè)系統(tǒng)，用于檢測(cè)包括由所述第一結(jié)構(gòu)反射的所述第一輻射的至少部分的第一光譜；

(c)第二照射系統(tǒng)，用于利用第二輻射照射第二結(jié)構(gòu)，所述第二結(jié)構(gòu)與所述第一結(jié)構(gòu)不同，所述第二輻射包括在1納米至100納米的范圍內(nèi)或在100納米至1000納米的范圍內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)波長(zhǎng)；

(d)第二檢測(cè)系統(tǒng)，用于檢測(cè)包括由所述第二結(jié)構(gòu)反射的所述第二輻射的至少部分的第二光譜；

(e)處理系統(tǒng)，用于使用所檢測(cè)到的第一光譜和所檢測(cè)到的第二光譜來(lái)確定所述光刻過(guò)程的所關(guān)注參數(shù)，

其中所述第二檢測(cè)系統(tǒng)和所述第一檢測(cè)系統(tǒng)在同一波段內(nèi)以不同方式操作或在不同波段中操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合量測(cè)設(shè)備，其中，所關(guān)注參數(shù)與不對(duì)稱度相關(guān)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合量測(cè)設(shè)備，其中，所述第一結(jié)構(gòu)和所述第二結(jié)構(gòu)位于襯底上的同一層中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合量測(cè)設(shè)備，其中，所述第一結(jié)構(gòu)和所述第二結(jié)構(gòu)分別位于襯底上的不同層中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合量測(cè)設(shè)備，其中所述處理系統(tǒng)被布置成使用所檢測(cè)到的第一光譜來(lái)控制用于所述第二光譜的捕捉的所述第二檢測(cè)系統(tǒng)和/或所述第二照射系統(tǒng)的一個(gè)或更多個(gè)參數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合量測(cè)設(shè)備，其中所述處理系統(tǒng)被布置成使用所檢測(cè)到的第二光譜來(lái)控制用于所述第一光譜的捕捉的所述第一檢測(cè)系統(tǒng)和/或所述第一照射系統(tǒng)的一個(gè)或更多個(gè)參數(shù)。

7.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的混合量測(cè)設(shè)備，其中對(duì)于所述第一輻射，相對(duì)于與所述襯底平行的方向的掠入射角α小于45度；而對(duì)于所述第二輻射，相對(duì)于與所述襯底垂直的方向的極入射角θ小于45度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的混合量測(cè)設(shè)備，其中所述第一輻射依次地或同時(shí)包括一波長(zhǎng)范圍，并且其中所述第一檢測(cè)系統(tǒng)是光譜檢測(cè)系統(tǒng)，所述第一光譜表示在被反射的所述第一輻射中的波長(zhǎng)的分布。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的混合量測(cè)設(shè)備，其中所述第二檢測(cè)系統(tǒng)是光譜檢測(cè)系統(tǒng)，所述第二光譜表示在被反射的所述第二輻射中的波長(zhǎng)的分布。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的混合量測(cè)設(shè)備，其中所述第二檢測(cè)系統(tǒng)是角分辨檢測(cè)系統(tǒng)，所述第一光譜表示在被反射的所述第一輻射中的衍射輻射的分布。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的混合量測(cè)設(shè)備，還包括用于產(chǎn)生所述第一輻射的第一輻射源和用于產(chǎn)生所述第二輻射的第二輻射源。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的混合量測(cè)設(shè)備，其中所述第一輻射源和所述第二輻射源共用泵浦激光器。