[發明專利]氮化物半導體發光元件和氮化物半導體發光元件的制造方法

在審

• 申請號: 202110692308.7
• 申請日: 2021-06-22
• 公開（公告）號: CN113838956A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 松倉勇介;稻津哲彥;希利爾·貝諾
• 申請（專利權）人: 日機裝株式會社
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 徐謙;劉寧軍

提供即使在具備具有一定大小以上的Al組成比的電子阻擋層的情況下也能抑制發光壽命下降的氮化物半導體發光元件。氮化物半導體發光元件(1)具備：發光層(40)，其包含由AlGaN形成的阱層(44a～c)，發出紫外光；電子阻擋層(51、52)，其位于發光層(40)上，由具有比阱層(44a～c)的Al組成比大的第一Al組成比的AlGaN形成；以及p型包覆層(70)，其位于電子阻擋層(51、52)上，由具有比阱層(44a～c)的Al組成比大且比第一Al組成比小的第二Al組成比的AlGaN形成并摻雜有具有規定濃度的p型摻雜劑，在電子阻擋層(51、52)與p型包覆層(70)的界面摻雜有預定量以上的n型摻雜劑。

技術領域

本發明涉及氮化物半導體發光元件和氮化物半導體發光元件的制造方法。

背景技術

作為現有的氮化物半導體發光元件，例如有包含由AlGaN形成且發出深紫外光的發光層的氮化物半導體發光元件(參照專利文獻1)。

專利文獻1所述的氮化物半導體發光元件具備層疊結構，該層疊結構是將n型半導體層、具有包含AlGaN的阱層和勢壘層的量子阱結構的發光層、Al組成比勢壘層大的電子阻擋層、形成在電子阻擋層之上的p型包覆層、以及形成在p型包覆層上的p型接觸層層疊而成的。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：特許第6001756號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，根據專利文獻1所述的氮化物半導體發光元件，由于設置有Al組成大的電子阻擋層，因而在電子阻擋層與p型包覆層之間，Al組成之差大，可能因為由晶格失配導致的質量劣化使發光壽命變短。

因此，本發明的目的在于，提供一種氮化物半導體發光元件和氮化物半導體發光元件的制造方法，即使是在具備具有一定大小以上的Al組成比的電子阻擋層的情況下，也能夠抑制發光壽命下降。

用于解決問題的方案

本發明以解決上述問題為目的，提供一種氮化物半導體發光元件，具備：發光層，其包含由AlGaN形成的阱層，發出紫外光；電子阻擋層，其位于上述發光層上，由具有比上述阱層的Al組成比大的第一Al組成比的AlGaN形成；以及p型包覆層，其位于上述電子阻擋層上，由具有比上述阱層的上述Al組成比大且比上述第一Al組成比小的第二Al組成比的AlGaN形成，并摻雜有具有規定濃度的p型摻雜劑，在上述電子阻擋層與上述p型包覆層的界面，摻雜有預定量以上的n型摻雜劑。

另外，本發明提供一種氮化物半導體發光元件的制造方法，包含：形成發光層的工序，上述發光層包含由AlGaN形成的阱層，發出紫外光；在上述發光層上形成電子阻擋層的工序，上述電子阻擋層由具有比上述阱層的Al組成比大的第一Al組成比的AlGaN形成；對上述電子阻擋層的上表面間歇地供應n型摻雜劑和p型摻雜劑的工序；以及在上述電子阻擋層上形成p型包覆層的工序，上述p型包覆層由具有比上述阱層的上述Al組成比大且比上述第一Al組成比小的第二Al組成比的AlGaN形成，并摻雜有具有規定濃度的p型摻雜劑。

發明效果

根據本發明，能夠提供一種氮化物半導體發光元件和氮化物半導體發光元件的制造方法，即使是在具備具有一定大小以上的Al組成比的電子阻擋層的情況下，也能夠抑制發光壽命下降。

附圖說明

圖1是概略地示出本發明的一個實施方式的氮化物半導體發光元件的構成的圖。