[發明專利]氮化物半導體發光元件和氮化物半導體發光元件的制造方法

在審

• 申請號: 202110692308.7
• 申請日: 2021-06-22
• 公開（公告）號: CN113838956A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 松倉勇介;稻津哲彥;希利爾·貝諾
• 申請（專利權）人: 日機裝株式會社
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 徐謙;劉寧軍

1.一種氮化物半導體發光元件，其特征在于，具備：

發光層，其包含由AlGaN形成的阱層，發出紫外光；

電子阻擋層，其位于上述發光層上，由具有比上述阱層的Al組成比大的第一Al組成比的AlGaN形成；以及

p型包覆層，其位于上述電子阻擋層上，由具有比上述阱層的上述Al組成比大且比上述第一Al組成比小的第二Al組成比的AlGaN形成，并摻雜有具有規定濃度的p型摻雜劑，

在上述電子阻擋層與上述p型包覆層的界面，摻雜有預定量以上的n型摻雜劑。

2.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其中，

上述p型包覆層包含上述n型摻雜劑從上述電子阻擋層側的頂端朝向規定位置擴散而成的擴散區域。

3.根據權利要求2所述的氮化物半導體發光元件，其中，

上述擴散區域所包含的上述n型摻雜劑的濃度為上述p型摻雜劑的濃度的1/2以下。

4.根據權利要求2或3所述的氮化物半導體發光元件，其中，

上述擴散區域所包含的上述n型摻雜劑的濃度為上述p型摻雜劑的濃度的1/80以上1/4以下。

5.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其中，

上述p型包覆層的上述p型摻雜劑的濃度為1.0×10¹⁸atoms·cm^-3以上1.0×10²⁰atoms·cm^-3以下。

6.根據權利要求2所述的氮化物半導體發光元件，其中，

在上述擴散區域中，存在上述氮化物半導體發光元件的厚度方向上的上述n型摻雜劑的濃度的分布的極大值。

7.根據權利要求6所述的氮化物半導體發光元件，其中，

上述n型摻雜劑的上述極大值為4.0×10¹⁸atoms·cm^-3以上1.0×10²⁰atoms·cm^-3以下。

8.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其中，

上述電子阻擋層與上述p型包覆層的界面中的p型摻雜劑的濃度為1.0×10¹⁸atoms·cm^-3以上1.0×10²⁰atoms·cm^-3以下。

9.根據權利要求8所述的氮化物半導體發光元件，其中，

在上述界面中，存在上述氮化物半導體發光元件的厚度方向上的上述p型摻雜劑的濃度的分布的極大值。

10.一種氮化物半導體發光元件的制造方法，其特征在于，包含：

形成發光層的工序，上述發光層包含由AlGaN形成的阱層，發出紫外光；

在上述發光層上形成電子阻擋層的工序，上述電子阻擋層由具有比上述阱層的Al組成比大的第一Al組成比的AlGaN形成；

對上述電子阻擋層的上表面間歇地供應n型摻雜劑和p型摻雜劑的工序；以及

在上述電子阻擋層上形成p型包覆層的工序，上述p型包覆層由具有比上述阱層的Al組成比大且比上述第一Al組成比小的第二Al組成比的AlGaN形成，并摻雜有具有規定濃度的p型摻雜劑。