[發(fā)明專利]能夠降低頭部氧含量的大直徑單晶硅生產(chǎn)方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110688408.2 | 申請日： | 2021-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN113417003A | 公開（公告）日： | 2021-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 伊冉;王黎光;張興茂;閆龍;李小紅 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 寧夏三源鑫知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孫彥虎 |
| 地址： | 750000 寧夏回族自*** | 國省代碼： | 寧夏;64 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 能夠 降低 頭部 含量 直徑 單晶硅 生產(chǎn) 方法 裝置 | ||
1.一種能夠降低頭部氧含量的大直徑單晶硅生產(chǎn)方法，其特征在于，包括以下步驟:
化料：將硅料熔化，得到硅熔湯；其中，化料結(jié)束后，氬氣流量為a，拉晶爐的爐內(nèi)壓力為b，坩堝轉(zhuǎn)速為c；
降氧處理：攪拌硅熔湯，同時提高氬氣流量至1.5a～3a和/或提高爐內(nèi)壓力至1.5b～3b。
2.如權(quán)利要求1所述的能夠降低頭部氧含量的大直徑單晶硅生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟“降氧處理”中，攪拌方向與坩堝旋轉(zhuǎn)方向相反，且攪拌速率為1c～3c。
3.如權(quán)利要求1所述的能夠降低頭部氧含量的大直徑單晶硅生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟“降氧處理”中，攪拌硅熔湯，同時提高氬氣流量至2a和/或提高爐內(nèi)壓力至2b。
4.如權(quán)利要求3所述的能夠降低頭部氧含量的大直徑單晶硅生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟“降氧處理”中，攪拌硅熔湯，同時提高氬氣流量至2a，并提高爐內(nèi)壓力至2b。
5.一種能夠降低頭部氧含量的大直徑單晶硅生產(chǎn)裝置，包括單晶爐爐體、設(shè)置在所述單晶爐爐體上的籽晶提升旋轉(zhuǎn)機構(gòu)及設(shè)置在所述單晶爐爐體內(nèi)的坩堝，所述籽晶提升旋轉(zhuǎn)機構(gòu)包括重錘及驅(qū)動所述重錘轉(zhuǎn)動的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動組件，其特征在于，還包括攪拌器，所述攪拌器能夠與所述重錘可拆卸連接，且所述攪拌器端部能夠伸入所述坩堝內(nèi)部。
6.如權(quán)利要求5所述的能夠降低頭部氧含量的大直徑單晶硅生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述攪拌器包括連接軸，所述連接軸的一端設(shè)置有連接螺紋，所述連接螺紋能夠螺接于所述重錘的下端。
7.如權(quán)利要求6所述的能夠降低頭部氧含量的大直徑單晶硅生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述攪拌器還包括設(shè)置在所述連接軸下端的至少兩個高純石英槳葉，所述高純石英槳葉設(shè)置為弧形面。
8.如權(quán)利要求6所述的能夠降低頭部氧含量的大直徑單晶硅生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述連接軸上設(shè)置有卡槽。
9.如權(quán)利要求7所述的能夠降低頭部氧含量的大直徑單晶硅生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述高純石英槳葉的高度為坩堝高度的1/3～1/2。
10.如權(quán)利要求7所述的能夠降低頭部氧含量的大直徑單晶硅生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述高純石英槳葉的葉展為坩堝半徑的1/3～1/2。
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