[發(fā)明專利]一種氧化硅鈍化層的制備方法

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• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN113410341A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 王奉友;范琳;孫云飛;楊麗麗;楊景海
• 申請（專利權）人: 吉林師范大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 吉林省中玖專利代理有限公司 22219
• 代理人: 李泉宏

1.一種氧化硅鈍化層的制備方法，其特征在于，該方法包括：

(1)將硅片浸泡在氫氟酸溶液中，清洗硅片以去除去除表面寄生氧化層；

(2)將去除寄生氧化層的硅片轉移到裝有去離子水和表面活性劑混合溶液的透明槽體中，使液面沒過硅片，并在槽體的底部通入濃度為40ppm的臭氧氣體，使溶液中產(chǎn)生大量向上浮動的氣泡；

(3)對槽體進行超聲振動處理，使通入的臭氧氣泡分解為超小氣泡，進而能夠均勻的在硅片表面向上滾動，并保持此過程1～5min；

(4)繼續(xù)保持超聲振動，同時將光功率為100～500mW/cm²的紫外光照射到硅片表面5～15min；

(5)提高光功率密度，用光功率為1000～2000mW/cm²的光照射硅片5～15min，在硅片表面產(chǎn)生制備得到氧化硅鈍化層；

其中，表面活性劑種類為N-油酰基多縮氨基酸鈉、烷基萘磺酸鹽、石油磺酸鹽、木質素磺酸鹽中的一種；混合溶液濃度為5wt％。

2.根據(jù)權利要求1所述的氧化硅鈍化層的制備方法，其特征在于，步驟(1)中氫氟酸溶液濃度為1wt％。

3.根據(jù)權利要求1所述的氧化硅鈍化層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述透明槽體材質是石英、云母、玻璃或有機玻璃。

4.根據(jù)權利要求1所述的氧化硅鈍化層的制備方法，其特征在于，步驟(1)、步驟(2)和步驟(3)中的溶液溫度為0～40℃。

5.根據(jù)權利要求1所述的氧化硅鈍化層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中臭氧氣體流速在1～100sccm之間。

6.根據(jù)權利要求1所述的氧化硅鈍化層的制備方法，其特征在于，步驟(3)中的超聲功率應在10～100W之間。

7.根據(jù)權利要求1所述的氧化硅鈍化層的制備方法，其特征在于，步驟(4)和步驟(5)中的溶液溫度為0～90℃。

8.一種用于權利要求1所述氧化硅鈍化層的制備方法的裝置，其特征在于，該裝置主體為一個透明槽體，槽體底部設有一個用于通入臭氧氣體的通孔，通孔連接氣體流量控制閥；槽體底部安裝在超聲發(fā)生器中，槽體中設置有硅片安裝架用于固定硅片；槽體兩側設置有紫外光源，正對硅片兩面照射。