[發明專利]用于處理器件的技術在審
| 申請號: | 202110686074.5 | 申請日: | 2019-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN113410133A | 公開(公告)日: | 2021-09-17 |
| 發明(設計)人: | C·E·尤佐;L·W·米卡里米;G·高;G·G·小方丹 | 申請(專利權)人: | 伊文薩思粘合技術公司 |
| 主分類號: | H01L21/18 | 分類號: | H01L21/18;H01L25/065;H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 辛鳴 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 器件 技術 | ||
1.一種形成微電子組件的方法,包括:
準備第一襯底的結合表面,包括基于第一氣體、利用第一等離子體激活所述第一襯底的所述結合表面;
形成第二襯底的結合表面;
將所述第二襯底安裝到切割層;
在所述第二襯底被安裝到所述切割層的同時將所述第二襯底分割成多個管芯,所述多個管芯中的每個管芯具有包括所述第二襯底的所述結合表面的一部分的結合表面;
在所述多個管芯被安裝到所述切割層的同時處理所述多個管芯,包括基于與所述第一氣體不同的第二氣體、利用第二等離子體清潔所述管芯的所述結合表面;
選擇所述多個管芯中的管芯;以及
在沒有粘合劑并且在所述管芯被安裝到所述切割層的同時不激活所述管芯的所述結合表面的情況下,將所述管芯的所述結合表面直接結合到所述第一襯底的所述結合表面。
2.根據權利要求1所述的方法,還包括在分割所述第二襯底之前,將保護性涂層施加到所述第二襯底的所述結合表面。
3.根據權利要求1所述的方法,還包括使用化學試劑、兆頻超聲波換能器和/或機械刷來清潔所述多個管芯或所述第一襯底的一個或多個表面。
4.根據權利要求1所述的方法,還包括在所述管芯由拾取和放置工具保持的同時處理所述管芯,所述處理包括所述管芯的所述結合表面的原位清潔。
5.根據權利要求1所述的方法,還包括通過使所述管芯的所述結合表面與由疏水材料形成或涂覆有疏水材料的拾取和放置工具接觸來拾取所述管芯。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述第一等離子體包括氮等離子體。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述第二等離子體包括氧等離子體。
8.一種形成微電子組件的方法,包括:
準備第一襯底的結合表面;
準備第二襯底的結合表面;
將所述第二襯底安裝到切割層;
在所述第二襯底被安裝到所述切割層的同時將所述第二襯底分割成多個管芯,所述多個管芯中的每個管芯具有包括所述第二襯底的所述結合表面的一部分的結合表面;
在所述多個管芯被安裝到所述切割帶的同時處理所述多個管芯;
選擇所述多個管芯中的管芯并且從所述切割帶移除所述管芯;
激活所述第一襯底的所述結合表面或所述管芯的所述結合表面中的一個;以及
在沒有粘合劑并且在不激活所述第一襯底的所述結合表面或所述管芯的所述結合表面中的另一個的情況下,將所述管芯的所述結合表面直接結合到所述第一襯底的所述結合表面。
9.根據權利要求8所述的方法,還包括利用氧等離子體清潔所述第一襯底的所述結合表面或所述管芯的所述結合表面中的另一個。
10.根據權利要求8所述的方法,其中所述第一襯底的所述結合表面或所述管芯的所述結合表面利用氮等離子體被激活。
11.根據權利要求8所述的方法,其中所述管芯的所述結合表面是所述管芯的第一結合表面,并且其中所述管芯包括與所述管芯的所述第一結合表面相對的第二結合表面,所述方法還包括:
利用氮等離子體激活所述管芯的所述第二結合表面、附加管芯的第一結合表面,或所述管芯的所述第二結合表面和所述附加管芯的所述第一結合表面;以及
在沒有粘合劑的情況下,將所述附加管芯的所述第一結合表面直接結合到所述管芯的所述第二結合表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





