[發(fā)明專利]智能型坐標(biāo)轉(zhuǎn)換校正方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110680060.2
• 申請(qǐng)日: 2017-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN113361225A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂一云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 敖翔科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F30/392
• 分類號(hào): G06F30/392;G06F30/398;H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 董科

本發(fā)明提供一種智能型坐標(biāo)轉(zhuǎn)換校正方法，其方法包括：接收集成電路設(shè)計(jì)公司的IC設(shè)計(jì)布局圖數(shù)據(jù)；通過缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)掃描晶圓以取得缺陷掃描數(shù)據(jù)，并經(jīng)過數(shù)據(jù)處理裝置將缺陷掃描數(shù)據(jù)處理成缺陷文字及影像數(shù)據(jù)文件。將缺陷影像的單位尺寸及設(shè)計(jì)布局圖的單位尺寸調(diào)整成一致；執(zhí)行坐標(biāo)轉(zhuǎn)換程序，根據(jù)缺陷坐標(biāo)將缺陷影像的圖案的缺陷坐標(biāo)轉(zhuǎn)換至設(shè)計(jì)布局圖中線路的相對(duì)坐標(biāo)作為第一坐標(biāo)。及執(zhí)行坐標(biāo)校正程序，包括手動(dòng)比對(duì)或自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)缺陷影像的圖案與設(shè)計(jì)布局圖的線路、或經(jīng)由圖形用戶接口將缺陷影像的位置在設(shè)計(jì)布局圖的線路上相對(duì)的位置標(biāo)示出新坐標(biāo)作為第二坐標(biāo)，以取得校正后的坐標(biāo)偏差量；基于校正后的坐標(biāo)偏差量將缺陷坐標(biāo)校正至第二坐標(biāo)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明系涉及一種智能型的半導(dǎo)體缺陷校正、分類及取樣的系統(tǒng)與其實(shí)施方法；特別是涉及一種應(yīng)用于半導(dǎo)體制造工廠、半導(dǎo)體封裝制造廠、平面顯示器制造工廠、太陽能板制造工廠、印刷電路制造工廠、掩膜制造工廠、LED制造或是組裝廠的智能型的缺陷校正、分類及取樣的系統(tǒng)與其實(shí)施方法。

背景技術(shù)

一般而言，在工廠內(nèi)生產(chǎn)、制造集成電路(Integrated Circuit；IC)，均是透過掩膜、半導(dǎo)體微影、蝕刻、薄膜沉積、銅制程、化學(xué)機(jī)械研磨及多重曝光等設(shè)備及制程而形成。因此，在整個(gè)制造的過程中，可能由于設(shè)備本身的精度偏差、異常故障、制程產(chǎn)生的粒子、設(shè)計(jì)布局圖的繪圖瑕疵及黃光制程窗口(window)不足而產(chǎn)生隨機(jī)性缺陷與系統(tǒng)性缺陷(Random and systematic defect)，這些缺陷造成產(chǎn)品斷路(open)或短路(short)型失敗，降低晶圓良率。這些隨機(jī)性缺陷與系統(tǒng)性缺陷，隨著半導(dǎo)體制程尺寸往下微縮，缺陷數(shù)量亦因尺寸縮小而大量增加，使得每次缺陷檢測(cè)得到數(shù)千、數(shù)萬個(gè)缺陷，因受限于掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)的照相速率，祇能以取樣方式選取數(shù)十至數(shù)百個(gè)缺陷去照相，造成取樣到真正會(huì)斷路或短路型失敗的缺陷困難度大為提高，因而無法準(zhǔn)確且實(shí)時(shí)提供這些造成良率耗損的缺陷SEM照片給制程工程師，進(jìn)而難以根據(jù)缺陷的SEM照片來分析制程中導(dǎo)致缺陷的源頭，故改進(jìn)缺陷良率的成效不佳，增加半導(dǎo)體廠的成本。

在半導(dǎo)體廠(例如:晶圓代工廠，F(xiàn)oundry)的實(shí)務(wù)運(yùn)作里，以前用實(shí)時(shí)(real-time)的缺陷及影像圖形分類的數(shù)據(jù)分析，是過去增進(jìn)良率的重要方法，但是該方法在奈米級(jí)半導(dǎo)體制程的缺陷分析已經(jīng)很難找到失敗的致命缺陷；本創(chuàng)新的核心部份引進(jìn)IC設(shè)計(jì)布局圖數(shù)據(jù)、關(guān)鍵區(qū)域分析(Critical Area Analysis,CAA)方法、缺陷圖案重迭設(shè)計(jì)布局圖、坐標(biāo)轉(zhuǎn)換校正系統(tǒng)、及缺陷尺寸校正系統(tǒng)，乃是解決取樣致命缺陷的重要突破方法及系統(tǒng)。

再者，由SEM及光學(xué)顯微鏡的影像圖形輪廓量測(cè)數(shù)據(jù)及檢測(cè)機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的缺陷數(shù)據(jù)，和關(guān)鍵區(qū)域分析數(shù)據(jù)作比較，檢測(cè)機(jī)臺(tái)的缺陷尺寸、面積數(shù)據(jù)和SEM及光學(xué)顯微鏡的影像圖形輪廓量測(cè)尺寸、面積數(shù)據(jù)有差異，因而造成關(guān)鍵區(qū)域分析結(jié)果有差異，為解決關(guān)鍵區(qū)域分析偏差，必須解決缺陷尺寸偏差問題。例如:缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)的缺陷尺寸量測(cè)單位當(dāng)高于布局圖形最小尺寸，造成缺陷資料的尺寸和SEM照片的實(shí)際缺陷尺寸之偏差問題。

此外，在復(fù)雜的微縮半導(dǎo)體先進(jìn)制程里，尤其當(dāng)光學(xué)效應(yīng)制程窗口(processwindow)愈來愈窄，但I(xiàn)C設(shè)計(jì)布局圖形卻以多倍數(shù)增加及復(fù)雜化時(shí)，導(dǎo)致一些跟圖形有關(guān)的缺陷被偵測(cè)出來，其中屬于會(huì)影響良率的缺陷即是「系統(tǒng)性缺陷」，將會(huì)造成極低的良率，但如果此圖形是不影響IC設(shè)計(jì)線路，例如:監(jiān)控圖形，因?yàn)椴挥绊懥悸剩词菍儆凇讣傩匀毕荨?False defect)，但因假性缺陷圖形及訊號(hào)很明顯，常占據(jù)大部份的缺陷取樣數(shù)目比例至90％以上，反而無法真正找到斷路或短路型失敗的缺陷圖形。