[發明專利]提高半導體金屬封裝產品多余物檢測合格率的方法在審
| 申請號: | 202110679768.6 | 申請日: | 2021-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN113394116A | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 趙珩;何俊鋒;盧劍豪;鐘宏江;董嘉輝;梁凱明 | 申請(專利權)人: | 深圳技術大學 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312 | 代理人: | 趙勝寶 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 半導體 金屬 封裝 產品 多余 檢測 合格率 方法 | ||
1.一種提高半導體金屬封裝產品多余物檢測合格率的方法,其特征在于,包括如下步驟:
將有機硅橡膠涂覆到金屬封裝管帽上;
將所述金屬封裝管帽依次在80±5℃、120±5℃、150±5℃、180±5℃、220±5℃的溫度下進行烘烤;
將烘烤完成后的所述金屬封裝管帽放置于一恒溫環境,并進行密封。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述將所述金屬封裝管帽依次在80±5℃、120±5℃、150±5℃、180±5℃、220±5℃的溫度下進行烘烤具體包括:
S1、所述金屬封裝管帽在80±5℃的溫度下烘烤18-40h;
S2、所述金屬封裝管帽在120±5℃的溫度下烘烤18-40h;
S3、所述金屬封裝管帽在150±5℃的溫度下烘烤24-40h;
S4、所述金屬封裝管帽在180±5℃的溫度下烘烤24-40h;
S5、所述金屬封裝管帽在220±5℃的溫度下烘烤12-40h。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述恒溫環境為180±5℃的烘箱中。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述有機硅橡膠包括型號為KJR5033、KJR1204-1中的任意一種。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述將有機硅橡膠涂覆到金屬封裝管帽上之前,還包括:
將所述金屬封裝管帽在150-170℃的溫度下烘4-8h。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述將所述金屬封裝管帽在150-170℃的溫度下烘4-8h之前,還包括:
將所述金屬封裝管帽進行超聲清洗、酒精脫水、烘干。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述超聲清洗包括:
將所述金屬封裝管帽放入去離子水中,并對所述金屬封裝管帽進行超聲清洗,其中所述去離子水的密度大于或等于10MΩ·cm。
8.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述烘干包括:
將酒精脫水后的所述金屬封裝管帽在150±5℃的溫度下進行烘烤。
9.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述將有機硅橡膠涂覆到金屬封裝管帽上之前還包括:
對涂膠臺內部進行除濕處理,將烘過的所述金屬封裝管帽放入所述涂膠臺內,其中所述涂膠臺內部的濕度小于環境濕度的30%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





