[發明專利]IPS型TFT-LCD陣列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD陣列基板有效
| 申請號： | 202110673802.9 | 申請日： | 2021-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN113433742B | 公開（公告）日： | 2023-05-02 |
| 發明（設計）人： | 苑春歌 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1343 | 分類號： | G02F1/1343;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 官建紅 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ips tft lcd 陣列 制作方法 | ||
1.一種IPS型TFT-LCD陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供TFT基板，其包括襯底、形成在襯底上的TFT陣列、及形成在TFT陣列上平坦層；
在所述平坦層上形成公共電極；
在所述公共電極及所述平坦層上形成絕緣膜；
將所述形成有公共電極及絕緣膜的TFT基板置于反應室中，向反應室中通入成膜氣體SiH4及N2O，形成氧化硅層；
在所述氧化硅層上形成像素電極；
其中，所述絕緣膜為無機絕緣膜或有機絕緣膜，所述無機絕緣膜包括氮化硅膜或云母基絕緣膜，所述有機絕緣膜包括聚酰亞胺膜或派瑞林膜，所述平坦層中包含亞克力。
2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述SiH4的氣體流量為100-1000ml/min，N2O的氣體流量為5000-40000ml/min。
3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述絕緣膜的厚度為
4.一種采用如權利要求1-3任一項所述的制作方法制作的IPS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于：所述IPS型TFT-LCD陣列基板包括多個陣列排布的像素單元，每一像素單元包括襯底、形成在襯底上的TFT陣列、形成在TFT陣列上的平坦層、形成在所述平坦層上的公共電極、形成在所述公共電極及平坦層上的絕緣膜、形成在所述絕緣膜上的氧化硅層、及形成在所述氧化硅層上的像素電極；
其中，所述絕緣膜為無機絕緣膜或有機絕緣膜，所述無機絕緣膜包括氮化硅膜或云母基絕緣膜，所述有機絕緣膜包括聚酰亞胺膜或派瑞林膜，所述平坦層中包含亞克力。
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